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[導(dǎo)讀]過去的周末似乎傳來了好消息,有網(wǎng)友曝光了紫光生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存,單條4GB,一時(shí)間群情激越,仿佛讓人看到了內(nèi)存大降價(jià)的希望,不過真相很殘酷,這不光是個(gè)舊聞,實(shí)際上紫光現(xiàn)在并沒有能力生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。

2017年即將過去,回首過去一年的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng),大家感慨最多的還是漲價(jià)——8GB DDR4內(nèi)存從去年的200多塊漲到了最高900多,三四倍的漲價(jià)幅度讓人難以承受,SSD硬盤雖然漲幅沒這么夸張,但是相比之前也有一倍多的漲價(jià),以致于很多人依然只能選擇120GB的容量。這一輪閃存、內(nèi)存漲價(jià)有市場(chǎng)供需失衡的原因,但是根本原因還在于存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)壟斷在三星、SK Hynix、美光、東芝等少數(shù)國外公司中,中國在這個(gè)領(lǐng)域毫無發(fā)言權(quán),別人漲價(jià)我們也只有承受代價(jià)的份兒。所以說要想扭轉(zhuǎn)內(nèi)存、閃存市場(chǎng)漲價(jià)的態(tài)勢(shì),只有國內(nèi)廠商也介入這個(gè)市場(chǎng),增加競(jìng)爭(zhēng)壓力才有可能。過去的周末似乎傳來了好消息,有網(wǎng)友曝光了紫光生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存,單條4GB,一時(shí)間群情激越,仿佛讓人看到了內(nèi)存大降價(jià)的希望,不過真相很殘酷,這不光是個(gè)舊聞,實(shí)際上紫光現(xiàn)在并沒有能力生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。

這幾天有網(wǎng)友貼出了一款之前沒見過的內(nèi)存——這是一條看似尋常的綠色PCB無馬甲內(nèi)存條,容量4GB,怎么看都沒什么特別的,不過上面的logo是Unilc,這是紫光國芯公司的logo,而紫光國芯是紫光集團(tuán)的控股子公司,旗下?lián)碛形靼沧瞎鈬?、深圳國微、紫光同?chuàng)等公司。根據(jù)官網(wǎng)介紹,“紫光國芯是紫光集團(tuán)旗下半導(dǎo)體行業(yè)上市公司,專注于集成電路芯片設(shè)計(jì)開發(fā)領(lǐng)域,堅(jiān)持穩(wěn)健經(jīng)營、持續(xù)創(chuàng)新、開放合作,是目前國內(nèi)領(lǐng)先的集成電路芯片設(shè)計(jì)和系統(tǒng)集成解決方案供應(yīng)商。”,所以這張照片很快在網(wǎng)絡(luò)上得到傳播,成為紫光成功造出DDR4內(nèi)存芯片的證據(jù),更有媒體、自媒體宣稱這是國內(nèi)首條自主研發(fā)的DDR4內(nèi)存。

如果國產(chǎn)DDR4內(nèi)存研發(fā)成功,這無疑是一件大好事,不過這則爆料沒傳幾天就被戳破了謊言——首先這個(gè)并不是DDR4內(nèi)存,而是4GB DDR3內(nèi)存,上面略顯模糊的標(biāo)記如PC3-12800正是DDR3-1600內(nèi)存頻率,CL11-11-11的時(shí)序也符合DDR3-1600標(biāo)準(zhǔn)。其次,就算是DDR3內(nèi)存,這實(shí)際上也不是紫光的技術(shù),西安紫光國芯公司最初是英飛凌科技2003年在西安設(shè)立的存儲(chǔ)事業(yè)部,2006年英飛凌拆分了存儲(chǔ)事業(yè)部成立奇夢(mèng)達(dá)公司,西安的奇夢(mèng)達(dá)公司也獨(dú)立運(yùn)營,2009年被國內(nèi)的浪潮集團(tuán)收購,公司改建為西安華芯公司,2015年紫光國芯收購了西安華芯,成立了現(xiàn)在的西安紫光國芯公司。

所以說,這條內(nèi)存條實(shí)際上是早前英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)時(shí)代的產(chǎn)物,紫光及紫光國芯目前并沒有生產(chǎn)DDR4內(nèi)存的能力和技術(shù)。在紫光公司的規(guī)劃中,他們這兩年最重要的任務(wù)是武漢的長江存儲(chǔ)科技,主要產(chǎn)品是3D NAND閃存而非DRAM內(nèi)存,畢竟長江存儲(chǔ)的前身武漢新芯科技早前跟飛索半導(dǎo)體合作過NAND閃存,還是有一些閃存技術(shù)積累的,而DRAM內(nèi)存就基本上是一篇空白了。

不過國內(nèi)公司遲早也會(huì)進(jìn)軍DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng),紫光集團(tuán)武漢基地的二期規(guī)劃就是DRAM內(nèi)存工廠,而其他廠商如合肥長鑫、福建晉華集團(tuán)則是主攻DRAM內(nèi)存技術(shù),分別與前日本爾必達(dá)公司人員、臺(tái)系聯(lián)電等公司合作,不過DRAM內(nèi)存顆粒要比NAND閃存難度更高,這個(gè)過程可能要很長一段時(shí)間。

目前紫光國芯也做出了官方回應(yīng):關(guān)于公司DDR4產(chǎn)品的報(bào)道并不確切,公司正在開展DDR4存儲(chǔ)器芯片及模組的設(shè)計(jì)開發(fā)工作,目前該產(chǎn)品還處于研發(fā)階段,按照計(jì)劃產(chǎn)品將在明年開始逐步推向市場(chǎng)。從產(chǎn)品開發(fā)完成到實(shí)現(xiàn)批量銷售還需要花比較長的時(shí)間,做大量的市場(chǎng)開拓工作,任重而道遠(yuǎn)。

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