美國存儲器領(lǐng)導(dǎo)廠美光25日在世界移動大會(MWC)發(fā)表全球首款超大容量microSD閃存卡——Micron c200系列 1TB microSDXC UHS-I。該產(chǎn)品為高性能的可抽取式儲存解決方案，提供高達(dá) 1TB1的儲存容量，消費(fèi)者可用此閃存卡，在手機(jī)或其他電子裝置上儲存4K影片、照片與游戲。預(yù)計(jì)第2季上市銷售。

此款閃存卡為業(yè)界首款采用美光先進(jìn)96層四階儲存單元(QLC)3D NAND 技術(shù)的 microSD 閃存卡，ÿ秒讀取速度高達(dá) 100 MB，ÿ秒寫入速度3可達(dá) 95 MB，符合UHS-I 速度等級 3 (U3)與影片速度等級 30 (V30)的標(biāo)準(zhǔn)。

Forward Insights總裁Gregory Wong表示，3D QLC NAND技術(shù)時代來臨，將帶動市場對高容量消費(fèi)性儲存裝置的需求增長。且指出，美光推出的新閃存卡為可抽取式儲存裝置市場劃下重要里程碑，將有助于加速移動裝置和游戲裝置轉(zhuǎn)換成高容量儲存裝置。

美光嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部 NAND 解決方案資深總監(jiān) Aravind Ramamoorthy 則表示，通過研發(fā) CuA (CMOS under the Array) 架構(gòu)和 96 層 QLC技術(shù)，公司站穩(wěn) 3D NAND領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)地λ，全新的c200 系列 1TB microSD 閃存卡將滿足消費(fèi)者對移動裝置黏著度高的生活方式，輔助用戶自由擷取、分享、儲存和享受更多內(nèi)容。

除了閃存產(chǎn)品，美光在DRAM技術(shù)也持續(xù)推進(jìn)，此前也宣布在臺灣建立DRAM卓越中心，該公司臺灣區(qū)副總裁徐國晉此前在一場ý體餐敘上透¶，去年在臺灣導(dǎo)入1x納米制程后，預(yù)定下半年還將導(dǎo)入1y納米制程量產(chǎn)，同時并進(jìn)行1z制程試產(chǎn)，希望明年導(dǎo)入量產(chǎn)。