格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDXeMRAM，為消費領域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。

正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數(shù)據(jù)的能力，同時能使數(shù)據(jù)在125°C環(huán)境下保留10年以上。這項行業(yè)領先的技術優(yōu)勢使其能夠被用于通用、工業(yè)和汽車領域的微控制器單元(MCU)。FDXTM和eMRAM的能效連同射頻連接功能和毫米波IP，使得22FDX成為電池驅動的物聯(lián)網(wǎng)和自動駕駛汽車雷達片上系統(tǒng)(SoCs)的理想平臺。

“隨著越來越多的應用需要高性能、非易失性的內(nèi)存解決方案，客戶都在設法擴展產(chǎn)品的能力。”格芯eMRAM事業(yè)部副總裁Dave Eggleston表示，“我們很高興能發(fā)布22FDX eMRAM。作為一種具有卓越可靠性的嵌入式內(nèi)存技術，它能夠為系統(tǒng)設計者在微控制器(MCUs)和片上系統(tǒng)(SoCs)中提供更多功能，同時提高其性能和能效。”

格芯eMRAM的高可靠性和可擴展性使其在多個市場的先進工藝節(jié)點上都是一個成本優(yōu)化的選擇。此外，格芯eMRAM的多功能性讓其能同時兼?zhèn)淇鞂懶阅芘c高持久性，這也使得它能同時被用于代碼存儲和工作存儲。這一22FDX eMRAM的推出是格芯與Everspin科技公司多年合作的成果。目前，1Gb容量的雙倍速率MRAM芯片已進行了演示并提供樣片，256Mb容量的雙倍速率MRAM芯片已量產(chǎn)，并由Everspin獨家供貨。

22FDXeMRAM和射頻解決方案的工藝設計工具包現(xiàn)已發(fā)布。面向22FDX eMRAM客戶樣片的多項目晶圓(MPWs)正在如期進行中，并將在2018年第一季度交付，且計劃于2018年底進行風險量產(chǎn)。格芯及其設計合作伙伴已推出eMRAM定制設計服務，包括從2Mb到32Mb容量的eMRAM，并提供設計便捷的嵌入式閃存(eFlash)和靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)接口選項。