格芯今日宣布推出其具有7納米領(lǐng)先性能的(7LP)FinFET半導(dǎo)體技術(shù)，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等應(yīng)用的需求。設(shè)計(jì)套件現(xiàn)已就緒，基于7LP技術(shù)的第一批客戶產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

2016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術(shù)積淀，來研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計(jì)劃。由于晶體管和工藝水平的進(jìn)一步改進(jìn)，7LP技術(shù)的表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于最初的性能目標(biāo)。與先前基于14納米FinFET技術(shù)的產(chǎn)品相比，預(yù)計(jì)面積將縮小一半，同時(shí)處理性能提升超過40%。目前，在格芯位于紐約薩拉托加縣的全球領(lǐng)先的Fab 8晶圓廠內(nèi)，該技術(shù)已經(jīng)做好了為客戶設(shè)計(jì)提供服務(wù)的準(zhǔn)備。

格芯CMOS業(yè)務(wù)部高級副總裁Gregg Bartlett先生表示：“我們的7納米FinFET技術(shù)正在按計(jì)劃進(jìn)行開發(fā)。我們看到，格芯在2018年計(jì)劃出廠的多樣化產(chǎn)品對客戶有著強(qiáng)大吸引力。在推動7納米芯片于未來一年中實(shí)現(xiàn)市場化的同時(shí)，格芯正在積極開發(fā)下一代5納米及其后續(xù)的技術(shù)，以確保我們的客戶能夠在最前沿領(lǐng)域內(nèi)獲取世界級的技術(shù)藍(lán)圖。”

格芯還將持續(xù)投資下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)的研究與開發(fā)。通過與合作伙伴IBM和三星的密切合作，2015年格芯便宣布推出7納米測試芯片。此后，格芯又于近日宣布業(yè)內(nèi)首款基于硅納米片晶體管的5納米的樣片。目前，格芯正在探索一系列新的晶體管架構(gòu)，以幫助其客戶邁進(jìn)下一個(gè)互聯(lián)的智能時(shí)代。

格芯的7納米FinFET技術(shù)充分利用了其在14納米FinFET技術(shù)上的批量制造經(jīng)驗(yàn)，該技術(shù)于2016年初2月8日在Fab 8晶圓廠中開始生產(chǎn)。自那時(shí)起，格芯已為廣泛的客戶提供了“一次成功”的設(shè)計(jì)。

為了加快7LP的量產(chǎn)進(jìn)程，格芯正在持續(xù)投資最新的工藝設(shè)備能力，包括在今年下半年首次購進(jìn)兩個(gè)超紫外光(EUV)光刻工具。7LP的初始量產(chǎn)提升將依托傳統(tǒng)的光刻方式，當(dāng)具備批量生產(chǎn)條件時(shí)，將遷移至EUV光刻技術(shù)。

引言：

“我們很高興看到格芯先進(jìn)的7納米工藝所帶來的領(lǐng)先技術(shù)。AMD與格芯的合作集中于創(chuàng)造高性能的產(chǎn)品，從而帶來更沉浸式和更直觀的計(jì)算體驗(yàn)。”

—— Mark Papermaster，AMD高級副總裁兼首席技術(shù)官

“雖然晶體管結(jié)構(gòu)并非技術(shù)成功的唯一重要因素，但仍然承擔(dān)著極其關(guān)鍵的作用。這是7納米芯片批量生產(chǎn)歷程中的重要里程碑，證明了格芯的工藝流程已經(jīng)成熟到足以開始進(jìn)行真正的客戶產(chǎn)品設(shè)計(jì)。同時(shí)，該公司已經(jīng)在向5納米及更精細(xì)的芯片市場邁進(jìn)。目前世界上能駕馭此種領(lǐng)先創(chuàng)新技術(shù)的公司屈指可數(shù)，格芯無疑是這個(gè)精英團(tuán)隊(duì)中的重要一員。”

—— Patrick Moorhead，Moor Insights & Strategy公司總裁兼首席分析師

“格芯不斷展現(xiàn)了美國在前沿技術(shù)領(lǐng)域中的領(lǐng)先地位，如果能繼續(xù)在7納米芯片的研究中進(jìn)步，格芯將成為第一個(gè)跨過該領(lǐng)域全部技術(shù)節(jié)點(diǎn)的公司。在過去，有很多人還沒有走到格芯今天的這一步，便失敗了。這是從摩爾定律中汲取價(jià)值而產(chǎn)生的一種全新戰(zhàn)略方式，在艱難繞過10納米領(lǐng)域后，格芯發(fā)力攻克7納米領(lǐng)域。其他公司則是把資源分散，來進(jìn)行半程或四分之一節(jié)點(diǎn)處的研發(fā)。”

—— Dan Hutcheson，VLSI Research公司總裁兼董事長