東芝在近幾年的時(shí)間經(jīng)歷了許多大事，尤其是出售其存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)，更是在行業(yè)內(nèi)鬧得沸沸揚(yáng)揚(yáng)，不肯落幕，而近日，東芝又放出了一個(gè)重磅消息，那就是東芝宣布研發(fā)出96層3D NAND flash存儲(chǔ)。此消息一出，又在業(yè)界引起了巨大反響，對(duì)于此消息的真實(shí)性，也都是眾說紛紜。

東芝(Toshiba)和Western Digital(WD)領(lǐng)先業(yè)界，宣布搶在存儲(chǔ)龍頭三星電子之前，研發(fā)出96層3DNANDflash存儲(chǔ)。韓國(guó)方面質(zhì)疑此一新聞的真實(shí)性，指稱東芝可能為了出售存儲(chǔ)部門，蓄意放出消息、操弄媒體。

韓媒BusinessKorea 3日?qǐng)?bào)導(dǎo)，東芝和WD為了東芝存儲(chǔ)(Toshiba Memory Corporation、TMC)出售案，搞到撕破臉互告。韓國(guó)業(yè)界人士稱，東芝財(cái)務(wù)吃緊，被迫出售存儲(chǔ)求現(xiàn)，避免因?yàn)橘Y本減損(capital impairment)下市，懷疑東芝有能力投入龐大資金、進(jìn)行研發(fā)。

相關(guān)人士猜測(cè)，東芝發(fā)布96層3D NAND新聞稿，可能是想操縱媒體，炒熱存儲(chǔ)業(yè)務(wù)買氣。此一消息可以突顯東芝半導(dǎo)體的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，有望抬高售價(jià)、加速出售腳步。他們表示，東芝在這個(gè)時(shí)間點(diǎn)放出該訊息相當(dāng)可疑。

報(bào)導(dǎo)稱，其實(shí)三星也已研發(fā)出96層3D NAND，但是考量到產(chǎn)品越先進(jìn)，量產(chǎn)越困難，因此未對(duì)外公布，要先等到全面量產(chǎn)再說。文章力挺三星，指出就算堆疊層數(shù)相同，視各家公司技術(shù)和制造方法不同，表現(xiàn)仍有差異，因此堆疊層數(shù)變多，不能保證效能一定變好。

東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，QLC產(chǎn)品8月送樣

全球第2大NAND型快閃存儲(chǔ)廠東芝(Toshiba)28日宣布，已攜手SanDisk研發(fā)出全球首款采用堆疊96層制程技術(shù)的3D NAND Flash產(chǎn)品，且已完成試作、確認(rèn)基本動(dòng)作。該款堆疊96層的3D NAND試作品為256Gb(32GB)、采用3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于2017年下半送樣、2018年開始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來搶攻數(shù)據(jù)中心用SSD、PC用SSD以及智能手機(jī)、平板電腦和記憶卡等市場(chǎng)。

據(jù)悉，該款產(chǎn)品將利用其位于日本的合資制造工廠四日市工廠“Fab 5生產(chǎn)線”、“新第2廠房”以及預(yù)計(jì)2018年夏天完成第1期工程的“Fab 6生產(chǎn)線”進(jìn)行生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)強(qiáng)調(diào)其位于日本的合資制造工廠業(yè)務(wù)持續(xù)表現(xiàn)強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)2017年公司整體3D NAND供貨量，將有75%以上來自64層3D NAND(BICS3)技術(shù)的產(chǎn)品組合。而2017年西部數(shù)據(jù)與其合作伙伴東芝生產(chǎn)的64層3D NAND總產(chǎn)量，將遠(yuǎn)高于業(yè)界任何一家供應(yīng)商。

東芝今后也計(jì)劃推出采用堆疊96層制程技術(shù)的512Gb(64GB)3D NAND產(chǎn)品以及采用全球首見的4bit/cell(QLC=Quad-Level Cell)技術(shù)的3D NAND產(chǎn)品。

西部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們成功開發(fā)出業(yè)界首創(chuàng)的96層3D NAND技術(shù)，驗(yàn)證西部數(shù)據(jù)在技術(shù)藍(lán)圖研發(fā)的執(zhí)行能力。BiCS4可采用3-bits-per-cell與4-bits-per-cell兩種架構(gòu)，同時(shí)具備多種技術(shù)和制造方面的創(chuàng)新，以具吸引力的成本提供顧客最高的3DNAND儲(chǔ)存容量、效能與可靠度。西部數(shù)據(jù)的3DNAND產(chǎn)品組合是專為各種終端市場(chǎng)所設(shè)計(jì)，范圍涵蓋消費(fèi)者、移動(dòng)裝置、運(yùn)算裝置和數(shù)據(jù)中心。”

東芝目前已量產(chǎn)堆疊64層的3D NAND產(chǎn)品，而和64層產(chǎn)品相比，96層3D NAND每單位面積的記憶容量擴(kuò)大至約1.4倍，且每片晶圓所能生產(chǎn)的記憶容量增加，每bit成本也下滑。

東芝并于28日宣布，已試做出全球首見、采用4bit/cell(QLC)技術(shù)的3DNAND產(chǎn)品，且已完成基本動(dòng)作及基本性能的確認(rèn)。該款QLC試作品為采用堆疊64層制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)業(yè)界最大容量的768Gb(96GB)產(chǎn)品，已于6月上旬提供給SSD廠、控制器廠進(jìn)行研發(fā)使用。

東芝表示，堆疊16片768Gb芯片，實(shí)現(xiàn)業(yè)界最大容量1.5TB的QLC技術(shù)產(chǎn)品預(yù)計(jì)于2017年8月送樣，且該款1.5TB產(chǎn)品將在8月7-10日期間于美國(guó)圣塔克拉拉舉行的“Flash Memory Summit 2017”上進(jìn)行展示。