大數(shù)據(jù)、云計算、物聯(lián)網(wǎng)的爆發(fā)讓存儲市場火爆異常，價格一漲再漲，從手機、電腦、汽車、到玩具，幾乎所有電子產(chǎn)品等離不開存儲器，而尤其可穿戴、醫(yī)療、工業(yè)設備更離不開高性能、高耐久性以及低功耗特性的關鍵數(shù)據(jù)存儲。作為系統(tǒng)關鍵組成部分，存儲性能至關重要。面對市場上參差不齊的存儲器，選擇的方向是什么?未來，存儲技術的創(chuàng)新又該從哪些方面下手呢?

在第七屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2018產(chǎn)業(yè)和技術展望研討會上，富士通電子元器件產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新就富士通對非易失性存儲器的策略以及創(chuàng)新方向為大家做了分享。“FRAM(鐵電存儲器)用于數(shù)據(jù)記錄;NRAM(碳納米管存儲)用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲存, 還可替代NOR Flash;ReRAM(電阻式記憶體)可替代大容量EEPROM。”在詳細介紹富士通三大存儲技術之前，馮逸新首先介紹了它們各自的市場定位，三大各具獨特性能的存儲技術有望在各類電子產(chǎn)品市場中扮演黑馬角色。

表計、物聯(lián)網(wǎng)等應用之外，F(xiàn)RAM全面拓展汽車與無電池應用

FRAM的三大優(yōu)勢我們都很熟悉——耐久性、高速寫入、低功耗。什么是耐久性?馮逸新舉了個例子，假設寫入頻率是1秒/次，如果產(chǎn)品壽命是十年，那么在十年中寫入耐久性大概需要3.2億次。很顯然，EEPROM和Flash都是滿足不了的。

FRAM 優(yōu)于 EEPROM和Flash的耐久性。

FRAM的寫入速度有多高呢?就寫入一個數(shù)據(jù)時間來講，F(xiàn)RAM的速度大概是EEPROM的1/3000。也就是說，如果一個系統(tǒng)用一個主控加一個硬 FRAM，發(fā)生掉電的時候，數(shù)據(jù)是不會丟失的。集這么多優(yōu)點于一身的FRAM 都可以應用在哪些方面呢?馮逸新表示富士通的FRAM 已經(jīng)廣泛應用到了智能表計系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、醫(yī)療電子等等。隨著車規(guī)FRAM產(chǎn)品的推出，目前FRAM已經(jīng)全面進入無電池引用以及汽車電子系統(tǒng)，包括胎壓監(jiān)測、BMS監(jiān)測、氣囊等等。

發(fā)生掉電時，EEPROM、Flash以及FRAM的數(shù)據(jù)丟失情況。

車載電子控制系統(tǒng)對于存取各類傳感器資料的需求持續(xù)增加，因此對于高效能非易失性內(nèi)存技術的需求也越來越高，因為當系統(tǒng)在進行資料分析或是其他數(shù)據(jù)處理時，只有這類內(nèi)存才能夠可靠而無延遲地儲存?zhèn)鞲衅魉鸭臄?shù)據(jù)。由于FRAM屬于非失去性內(nèi)存，不僅能進行高速隨機存取，且擁有高耐寫度的特性，因此能以最佳的性能滿足這類應用的需求。2017年富士通推出兩款車規(guī)級FRAM存儲解決方案，能夠支持安全氣囊數(shù)據(jù)儲存、事故數(shù)據(jù)記錄器(EDR)、電池管理系統(tǒng)(BMS)、汽車駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)及導航與信息娛樂系統(tǒng)等應用中的實時且持續(xù)的數(shù)據(jù)儲存，從而達到降低系統(tǒng)復雜度并提高數(shù)據(jù)完整性的目的。

車規(guī)級FRAM是滿足汽車電子可靠性和無遲延要求的最佳存儲器選擇。

據(jù)相關報道，到2020年，預計全球?qū)?00億設備接入互聯(lián)網(wǎng)。“富士通針對物聯(lián)網(wǎng)應用的無線無電池的市場需求，研發(fā)了無線供電的低功耗嵌入式RFID創(chuàng)新性解決方案。該方案省去了RFID電池供電的需求，省去了MCU，讓產(chǎn)品開發(fā)周期更短、開發(fā)更加容易、成本更加低廉。”馮逸新說到?；贔RAM的RFID有以下幾個特點：

一、耐輻射性，在強輻射的照射下數(shù)據(jù)仍然可以安全存儲;

二、低功耗和外部元器件供電，在不穩(wěn)定電源或者不需要電源狀態(tài)下，仍然可以實現(xiàn)高可靠的讀寫應用;

三、快速讀寫能力，提高標簽的讀寫吞吐量提高效率。還有，大容量可以滿足大量數(shù)據(jù)的存儲，同等的讀寫距離使應用更方便。

FRAM技術的優(yōu)勢結(jié)合RFID技術，我們相信富士通的無源解決方案將在物聯(lián)網(wǎng)的應用中擁有廣闊的市場。

FRAM在無線無源應用中創(chuàng)新。

存儲“新生代”之NRAM，與FRAM形成市場互補

“無論是從讀寫耐久性、寫入的速度還是功耗來講，F(xiàn)RAM比傳統(tǒng)的Flash、EEPROM等都更具有優(yōu)勢，但是目前FRAM 成本比較高，一般的消費類產(chǎn)品還無法承擔。”馮逸新在介紹NRAM時說。針對一般的消費類市場，富士通與開發(fā)了NRAM® 專利技術的Nantero公司合作，共同研發(fā)55nm CMOS技術的NRAM。

圖8. NRAM的優(yōu)勢

NRAM是一種基于CNT(Carbon，NanoTubes,碳素納米管)的非易失性RAM。BCC Research預計，全球NRAM市場將從2018年到2023年實現(xiàn)62.5%的復合年成長率(CAGR)，其中嵌入式系統(tǒng)市場預計將在2018年達到470萬美元，到了2023年將成長至2.176億美元，CAGR高達115.3% 。

為什么會有如此大的市場呢?這要從NRAM 的7大特性說起

1)高速讀寫：速度接近于DRAM, 比NAND Flash快 100倍;

2)高讀寫耐久性：多于Flash1000倍以上的讀寫次數(shù);

3)高可靠性：存儲信息能保持更長久(85℃時可達1千年，300℃時可達10年);

4)低功耗 : 待機模式時功耗幾乎為零;

5)無線的可擴展性：未來生產(chǎn)工藝技術將低于5nm;

6)與CMOS晶圓廠的親和力：因為只有CNT工藝可以放入CMOS工藝里，唯一需要增加的元素就是碳，不必擔心材料的短缺和工廠的金屬污染;

7)低成本：目前的生產(chǎn)成本約為DRAM一半，隨著存儲密度的提高，生產(chǎn)成本會越來越低。

“NRAM 不但可以做數(shù)據(jù)儲存也可以做程序儲存，這一特性對消費類電子市場很有吸引力。就競爭格局來說，NRAM在高溫操作、數(shù)據(jù)保持、高速讀寫上都比傳統(tǒng)存儲器更具優(yōu)勢，未來NRAM 有望替換大容量EEPROM (容量低于8Mb)和小容量NOR Flash (容量大于16Mb)。”在談到NRAM的未來市場時，馮逸新表示。

存儲“新生代”之ReRAM，融合DRAM讀寫速度與SSD非易失性

ReRAM是一種新型阻變式的非易失性隨機存儲器，通過向金屬氧化物薄膜施加脈沖電壓，產(chǎn)生大的電阻差值來存儲“0”和“1”， 將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身，同時具備更低的功耗及更快的讀寫速度。據(jù)馮逸新介紹，富士通的第一代ReRAM產(chǎn)品已經(jīng)被應用在歐洲一部分助聽器中。

與FRAM不一樣，ReRAM的規(guī)格更類似于EEPROM，內(nèi)存容量比大，但尺寸比EEPROM小。與EEPROM不同的是，ReRAM最大的應用優(yōu)勢就是低功耗、易于寫入。

1)易于寫入：寫入操作之前，不需要擦除操作

2)低功耗：5MHz的讀出操作最大電流僅為0.5mA，遠遠低于同樣條件的EEPROM(3mA@5MHz).

ReRAM作為存儲器前沿技術，未來預期可以替代目前的FlashRAM，并且具有成本更低、性能更突出的優(yōu)勢。預期ReRAM高密度且低功耗的特性可使其大量運用在電池供電的穿戴式設備、助聽器等醫(yī)療設備，以及量表與傳感器等物聯(lián)網(wǎng)設備。