電阻(Resistance,通常用“R”表示)是一個(gè)物理量,在物理學(xué)中表示導(dǎo)體對(duì)電流阻礙作用的大小。導(dǎo)體的電阻越大,表示導(dǎo)體對(duì)電流的阻礙作用越大。
總線是各種信號(hào)線的集合,是嵌入式系統(tǒng)中各部件之間傳送數(shù)據(jù)、地址和控制信息的公共通路。
目前與我們生活習(xí)習(xí)相關(guān)的一系列活動(dòng)都無不牽涉到總線技術(shù)的應(yīng)用,如我們上英特網(wǎng)、給親戚朋友打電話、用U盤來存儲(chǔ)信息等。雖然流行的總線所采取的形式不同,但他們主要的原則性思想無非就是時(shí)分系統(tǒng)、頻分系統(tǒng)、相分系統(tǒng)和碼分系統(tǒng)等。
Jul. 22, 2024 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告,受惠于位元需求成長、供需結(jié)構(gòu)改善拉升價(jià)格,加上HBM(高帶寬內(nèi)存)等高附加價(jià)值產(chǎn)品崛起,預(yù)估DRAM(內(nèi)存)及NAND Flash(閃存)產(chǎn)業(yè)2024年?duì)I收年增幅度將分別增加75%和77%。而2025年產(chǎn)業(yè)營收將持續(xù)維持成長,DRAM年增約51%、NAND Flash年增長則來到29%,營收將創(chuàng)歷史新高,并且推動(dòng)資本支出回溫、帶動(dòng)上游原料需求,只是存儲(chǔ)器買方成本壓力將隨之上升。
算法雖然廣泛應(yīng)用在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域,但卻完全源自數(shù)學(xué)。實(shí)際上,最早的數(shù)學(xué)算法可追溯到公元前1600年-Babylonians有關(guān)求因式分解和平方根的算法。
串行通訊是指僅用一根接收線和一根發(fā)送線就能將數(shù)據(jù)以位進(jìn)行傳輸?shù)囊环N通訊方式。盡管串行通訊的比按字節(jié)傳輸?shù)牟⑿型ㄐ怕?,但是串口可以在僅僅使用兩根線的情況下就能實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸。
晶振底下鋪地是更好的選擇,因?yàn)榭梢杂行У販p少EMI和噪聲,并提高晶振的穩(wěn)定性。
MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場效應(yīng)管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開關(guān)電路。
在電路板上電后,若作為頻率器件的晶振周邊存在較強(qiáng)雜散電磁信號(hào)時(shí),會(huì)直接導(dǎo)致晶振輸出頻率受到干擾,引發(fā)頻率偏移,嚴(yán)重時(shí)影響電路板正常工作。因此晶振本身具備抗電磁干擾能力也是晶振品質(zhì)的一個(gè)重要特性
共模電感是一種特殊的電子元件,它的主要作用是抑制共模噪聲,對(duì)差模信號(hào)無影響。
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