功率場效應管(MOSFET)典型應用電路

1.電池反接保護電路

電池反接保護電路如圖9所示。一般防止電池接反損壞電路采用串接二極管的方法，在電池接反時，PN結(jié)反接無電壓降，但在正常工 作時有0.6～0.7V的管壓降。采用導通電阻低的增強型N溝道場效應管(MOSFET)具有極小的管壓降(RDS(ON)×ID)，如Si9410DY的RDS(ON)約為0.04Ω，則在lA時約為0.04V。這時要注意在電池正確安裝時，ID并非完全通過管內(nèi)的二極管，而是在VGS≥5V時，N導電溝道暢通(它相當于一個極小的電阻)而大部分電流是從S流向D的(ID為負)。而當電池裝反時，場效應管(MOSFET)不通，電路得以保護。

NMOS管接在電源的負極，柵極高電平導通。

PMOS管接在電源的正極，柵極低電平導通。

2.觸摸調(diào)光電路

一種簡單的觸摸調(diào)光電路如圖10。當手指觸摸上觸頭時，電容經(jīng)手指電阻及100k充電，VGS漸增大，燈漸亮;當觸摸下觸頭時，電容經(jīng)100k及手指電阻放電，燈漸暗到滅。

3.甲類功率放大電路

由R1、R2建立VGS靜態(tài)工作點(此時有一定的ID流過)。當音頻信號經(jīng)過C1耦合到柵極，使產(chǎn)生-△VGS，則產(chǎn)生較大的△ID，經(jīng)輸出變壓器阻抗匹配，使4～8Ω喇叭輸出較大的聲功率。圖ll中Dw為9V穩(wěn)壓二極管，是保護G、S極以免輸入過高電壓而擊穿。從圖中也可以看出，偏置電阻的數(shù)值較大，因為柵極輸入阻抗極高，并且無柵流。