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超小型1mm、高速LDO電壓調(diào)整器XC6223(特瑞仕半導(dǎo)體)

時(shí)間：2010-02-22 01:47:22

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 LDO 電壓調(diào)整器輸出電壓

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[導(dǎo)讀]特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社，推出了超小型1mm四方形、輸出電流300mA的高速LDO電壓調(diào)整器。 XC6223系列是附帶防止突入電流功能、輸出電流300mA的高速LDO電壓調(diào)整器。實(shí)現(xiàn)了高輸出電壓精度±1% (2.0V～4.0V)、±20mV (1.2V～

特瑞仕半導(dǎo)體株式會(huì)社，推出了超小型1mm四方形、輸出電流300mA的高速LDO電壓調(diào)整器。 XC6223系列是附帶防止突入電流功能、輸出電流300mA的高速LDO電壓調(diào)整器。

實(shí)現(xiàn)了高輸出電壓精度±1% (2.0V～4.0V)、±20mV (1.2V～1.95V)、@f=1kHz時(shí)80dB的高紋波除去率。內(nèi)部固定輸出電壓能對應(yīng)1.2V～4.0V的輸出電壓范圍（0.05V間隔）。提高了負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)的性能；大幅度降低了由于急劇的負(fù)載變動(dòng)而引起的電壓降低；由驅(qū)動(dòng)IC提供穩(wěn)定的電流。保護(hù)電路中搭載了限定電流、短路保護(hù)、過熱保護(hù)、防止突入電流等功能。

可以從SSOT-24、SOT-25、SOT-89-5、USPQ-4B03中按用途選擇合適的封裝。超小型封裝USPQ-4B03（1.0mm x 1.0mm x h0.4mm）與既往產(chǎn)品相比，縮小了實(shí)裝面積最適用于要求精巧設(shè)計(jì)的便攜式產(chǎn)品以及模塊等。此外有利于提高工作于電壓劇烈變動(dòng)環(huán)境中的元件的可靠性。

XC6223系列的特長

附帶限定電流（400mA）、短路保護(hù)、過熱保護(hù)、防止突入電流功能。

高輸出電壓精度±1% (2.0V～4.0V)、±20mV (1.2V～1.95V)。

@f=1kHz時(shí)80dB的高紋波除去率、低消耗電流100μA。

采用超小型封裝USPQ-4B03（1.0mm x 1.0mm x h0.4mm）有利于節(jié)省設(shè)計(jì)空間。

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電半導(dǎo)體芯片

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RISC-V要想構(gòu)建類似ARM或x86的生態(tài)，可能要花費(fèi)10年甚至20年時(shí)間

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在半導(dǎo)體制造中，《國際器件和系統(tǒng)路線圖》將5nm工藝定義為繼7nm節(jié)點(diǎn)之后的MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)。截至2019年，三星電子和臺(tái)積電已開始5nm節(jié)點(diǎn)的有限風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，并計(jì)劃在2020年開始批量生產(chǎn)。

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