輸出短路保護固定頻率折返，折返工作頻率高，輸出短路保護效果會降低；折返工作頻率低，系統(tǒng)甚至進入到非連續(xù)工作模式，雖然保護效果好，但有可能導致輸出短路消除后輸出電壓無法恢復正常。如圖1所示，輸入24V、輸出12V的 DCD...

為物聯(lián)網(wǎng)應用選擇電子元件的兩個關(guān)鍵標準是功率預算和性能。自從電子產(chǎn)品問世以來，就一直在這兩者之間進行權(quán)衡——要么獲得最佳功耗，要么獲得最高性能。根據(jù)應用程序，系統(tǒng)架構(gòu)師對系統(tǒng)中的不同組件有不同的要求。例如，系統(tǒng)可能需要高...

盡管輸出電壓隨負載的變化在美學上令人不快，但該模型相對于前一個模型的優(yōu)勢是巨大的。它包含相同限制之間的輸出電壓，具有幾乎兩倍的 ESR，并且當我們將它們與允許的偏差進行比較時，誤差源和紋波電壓會變小，這通常是這種情況。將...

開關(guān)電源通常具有嚴格的靜態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范。使用廣泛可用的精密基準，我們無需任何初始調(diào)整即可在工作溫度范圍內(nèi)輕松實現(xiàn) ±1% 的精度。我們還必須處理電源的動態(tài)調(diào)節(jié)規(guī)范，制造商通常將其指定為瞬態(tài)負載的最大允許偏差，該瞬態(tài)負載具有規(guī)...

在閾值電壓或低于閾值電壓時，EPAD MOSFET 在稱為亞閾值區(qū)域的工作區(qū)域中表現(xiàn)出關(guān)斷特性。這是 EPAD MOSFET 傳導通道根據(jù)施加的柵極電壓快速關(guān)閉的區(qū)域。由柵電極上的柵電壓引起的溝道呈指數(shù)下降，因此導致漏極...

ALD1148xx/ALD1149xx 產(chǎn)品是耗盡型 EPAD MOSFET，當柵極偏置電壓為 0.0V 時，它們是常開器件。耗盡模式閾值電壓處于 MOSFET 器件關(guān)斷的負電壓。提供負閾值，例如 –0.40V、-1.3...

尋求在電路設計中實現(xiàn)更低的工作電壓和更低的功耗水平是一種趨勢，這給電氣工程師帶來了艱巨的挑戰(zhàn)，因為他們遇到了基本半導體器件特性對他們施加的限制。長期以來，工程師們一直將這些特性視為基本特性，并可能阻止他們最大限度地擴大可...

所以，我想說這個概念是完全可擴展的。因此，我們可以為低功率制作非常高的 RDS (on) 部件，或為高功率制作非常低的 RDS (on) 部件。通過簡單地重塑設計，它可以擴展到低電壓，但這個概念是成立的。這就是我們基本上...

如今,無論生活亦或是工作環(huán)境中都充斥著大量不同頻率的電磁場，各個電子、電氣設備在同一空間中同時工作時，總會在它周圍產(chǎn)生一定強度的電磁場，比如電視發(fā)射臺、固定或移動式無線電發(fā)射臺以及各種工業(yè)輻射源產(chǎn)生的電磁場。

羅德與施瓦茨宣布進入源測量單元 (SMU) 市場，推出兩款新儀器，用于分析和優(yōu)化物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 應用和半導體元件測試的電池壽命測試。