據(jù)業(yè)者透露,東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計劃要在明年下半年開始采用20nm級別制程來量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能,直至達(dá)到20萬片的產(chǎn)能水平。
東芝公司最近已經(jīng)開始32nm制程3bpc(每存儲單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn),按原先的計劃,合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達(dá)到總產(chǎn)量的50%左右,不過按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來看,實際的量產(chǎn)實施時間看來已經(jīng)會有所拖延。
另一方面,對手Intel和美光兩家公司也曾表示稱會在年底前開始使用20nm級別的制程技術(shù)制造閃存芯片。兩家公司合資成立的IM Flash公司近期會開始采用34nm制程技術(shù)制作3bpc 32Gb NAND閃存。
三星公司也在積極跟進(jìn),他們正計劃將其在德州奧斯丁的8英寸芯片廠升級為12英寸芯片廠,這樣到明年下半年之前,他們的閃存芯片產(chǎn)能便能進(jìn)一步提高。據(jù)此前的報道顯示,三星目前正采用42nm制程技術(shù)量產(chǎn)制造NAND閃存。
預(yù)計閃存芯片采用2Xnm制程技術(shù)制作后,SSD硬盤產(chǎn)品的成本將有顯著下降,這樣SSD硬盤取代傳統(tǒng)機械硬盤的步伐便會大大加快。
據(jù)相關(guān)消息,當(dāng)?shù)貢r間9月13日,日本東芝半導(dǎo)體旗下東芝電子元件及儲存裝置表示,因兩天前進(jìn)行設(shè)施檢查時發(fā)生停電,導(dǎo)致Japan Semiconductor的巖手事業(yè)所工廠停工,此次停電導(dǎo)致正在進(jìn)行的半成品報廢,預(yù)計要恢復(fù)到...
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