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臺灣聯(lián)電稱明年發(fā)展28納米技術疑追趕臺積電

時間：2009-12-11 15:54:00
關鍵字： 臺積電    納米技術    聯(lián)電    金屬   
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[導讀]臺灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產(chǎn)品。騰訊科技訊12月11日訊，臺灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國巴爾的摩所

臺灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產(chǎn)品。騰訊科技訊12月11日訊，臺灣芯片代工廠商聯(lián)電昨日在美國巴爾的摩所舉辦的2009國際電子組件會議上表示，將于2010年下半年推出28納米制程，采用高K金屬柵極技術的半導體產(chǎn)品。業(yè)內人士指出，聯(lián)電此舉是為了追趕自己的競爭對手臺積電。

據(jù)悉，早前臺積電曾宣布將在明年前三個季度分別開始試產(chǎn)28納米高性能高K金屬柵極、28納米低功耗高K金屬柵極和28納米低功耗氮氧化硅三種新工藝產(chǎn)品。

來源：騰訊科技

作者：zhaobin

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