據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo),韓國(guó)半導(dǎo)體大廠(chǎng)海力士(Hynix)看好2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)表現(xiàn),將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。
海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-KapKim)表示,2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑,此外,預(yù)期2010年全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)需求將增加10%、全球DRAM存儲(chǔ)器芯片將缺貨,半導(dǎo)體市場(chǎng)已走出過(guò)去3年的谷底,前景相當(dāng)穩(wěn)定。
隨著景氣逐漸回升,海力士計(jì)劃2010年提升資本支出,共投資2。3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平,及擴(kuò)張目前的NANDFlash芯片產(chǎn)能。此外,金鐘甲表示,2010年海力士在全球DRAM及NANDFlash芯片市場(chǎng)市占率均可望些微提升,然不愿透露具體數(shù)字。
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