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[導(dǎo)讀]在美國KLA-Tencor于12月3日主辦的“第17屆YMS研討會”上,KLA-Tencor Japan公開了有關(guān)EUV掩模檢查的戰(zhàn)略。 在本屆研討會上,KLA-Tencor Japan的長岡根據(jù)KLA-Tencor在10月于捷克布拉格舉行的“2009 International

在美國KLA-Tencor于12月3日主辦的“第17屆YMS研討會”上,KLA-Tencor Japan公開了有關(guān)EUV掩模檢查的戰(zhàn)略。

在本屆研討會上,KLA-Tencor Japan的長岡根據(jù)KLA-Tencor在10月于捷克布拉格舉行的“2009 International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography(EUVL)”上的發(fā)布內(nèi)容進行了說明。據(jù)長岡介紹,目前對于半間距32nm和半間距22nm,使用現(xiàn)有掩模檢查裝置“Teron610”(廣為人知的“TeraScan XR”的后續(xù)機型。檢查波長為193nm,像素為55nm)。Teron610還有一些改進余地(圖1)。對于半間距16nm以下,打算在美國SEMATECH等的資金支持下開發(fā)使用EUV曝光的檢查裝置。

后者與在NEDO的支持下作為半導(dǎo)體MIRAI項目由半導(dǎo)體尖端技術(shù)公司的寺澤等開發(fā)的相位缺陷檢查裝置出于同一創(chuàng)意,今后將以什么合作關(guān)系進行開發(fā)令人關(guān)注。另外,關(guān)于半間距32nm和22nm,很多相關(guān)人士認為要得出采用原來檢查方法是否足夠的結(jié)論還需要一些時間(圖2)。最大的檢查裝置廠商KLA-Tencor對EUV掩模檢查裝置如此關(guān)注也說明EUV曝光技術(shù)的實用化已為時不遠。(特約撰稿人:橋本 哲一)

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周四美股交易時段,受到“臺積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響,包括英偉達、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤,但在隨后兩個小時內(nèi)紛紛暴力拉漲,多家千億美元市值的巨頭較開盤低點向上漲幅竟能達到10%。

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在半導(dǎo)體制造中,《國際器件和系統(tǒng)路線圖》將5nm工藝定義為繼7nm節(jié)點之后的MOSFET 技術(shù)節(jié)點。截至2019年,三星電子和臺積電已開始5nm節(jié)點的有限風(fēng)險生產(chǎn),并計劃在2020年開始批量生產(chǎn)。

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基于強大的產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)能力,世強硬創(chuàng)可以實現(xiàn)售前商品介紹、售中交易、售后服務(wù)的全流程新產(chǎn)品新技術(shù)推廣營銷,將半導(dǎo)體公司的新產(chǎn)品推廣有效率提高百倍。

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