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[導(dǎo)讀]恩智浦半導(dǎo)體4月23日發(fā)布了符合汽車行業(yè)Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝(緊湊型熱增強(qiáng)無耗封裝)功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技術(shù),面積比DPAK封裝減小了46%,熱性能與DPAK封裝近似。 主要特點(diǎn)為:LFPAK封裝利用銅

恩智浦半導(dǎo)體4月23日發(fā)布了符合汽車行業(yè)Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝(緊湊型熱增強(qiáng)無耗封裝)功率SO-8 MOSFET系列。采用了TrenchMOS技術(shù),面積比DPAK封裝減小了46%,熱性能與DPAK封裝近似。

主要特點(diǎn)為:LFPAK封裝利用銅片設(shè)計(jì),典型厚度為1.1mm,遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)的SO8和DPAK封裝(恩智浦未透露具體厚度值),減小了導(dǎo)通電阻和MOSFET的開關(guān)損耗。

其他特點(diǎn)包括:LFPAK系列產(chǎn)品有5個(gè)電壓級別:30V、40V、 55V、75V 和 100V;耐受瞬時(shí)大電流;100%突波耐受測試;符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),最高工作溫度為175°C;支持引線光學(xué)檢查。

據(jù)恩智浦工程師的詳細(xì)解釋:LFPAK封裝即Power SO-8封裝,比傳統(tǒng)的SO-8封裝厚度更薄,導(dǎo)通阻抗更低,負(fù)荷電流更高。PowerSO-8封裝與傳統(tǒng)SO8封裝在引腳位置與分布上也相同,因此很多時(shí)候可以直接在原有的傳統(tǒng)SO-8焊點(diǎn)上直接焊接,更好地發(fā)揮MOSFET的性能,并獲得更優(yōu)的焊點(diǎn)設(shè)計(jì)。由于目前業(yè)界對PowerSO-8封裝還沒有一個(gè)統(tǒng)一的標(biāo)準(zhǔn)定義,因此各家公司在封裝設(shè)計(jì)上都會一些細(xì)微的差別?;谶@一原因,恩智浦引入了統(tǒng)一的焊點(diǎn)設(shè)計(jì),可以在不改變PCB布圖的情況下采用LFPAK封裝,或者其他供應(yīng)商的Power SO-8封裝產(chǎn)品。

根據(jù)整車廠在汽車電子應(yīng)用中保持燃油效率、電子穩(wěn)定性和可靠性的需求,恩智浦推出了上述LFPAK功率SO-8 MOSFET系列產(chǎn)品。

目標(biāo)應(yīng)用為:發(fā)動機(jī)和變速系統(tǒng)控制器;防抱死制動系統(tǒng);冷卻泵;DC/DC轉(zhuǎn)換器;電動助力轉(zhuǎn)向(EPS)和電動液壓助力轉(zhuǎn)向(EHPS)系統(tǒng);電池反向保護(hù);當(dāng)考慮空間敏感性時(shí),用作通用汽車電子切換元件。(記者 恩平)


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