東電與荏原將實(shí)施2Xnm用銅布線技術(shù)聯(lián)合評(píng)測(cè)
[導(dǎo)讀]東電電子（TEL）與荏原制作所宣布，雙方已就實(shí)施有關(guān)2Xnm工藝用銅（Cu）布線技術(shù)的聯(lián)合評(píng)測(cè)達(dá)成一致。針對(duì)TEL面向銅布線開(kāi)發(fā)的底層形成技術(shù)使用的釕（Ru），該公司將與CMP（化學(xué)機(jī)械研磨）設(shè)備廠商荏原制作所共同實(shí)施
東電電子（TEL）與荏原制作所宣布，雙方已就實(shí)施有關(guān)2Xnm工藝用銅（Cu）布線技術(shù)的聯(lián)合評(píng)測(cè)達(dá)成一致。針對(duì)TEL面向銅布線開(kāi)發(fā)的底層形成技術(shù)使用的釕（Ru），該公司將與CMP（化學(xué)機(jī)械研磨）設(shè)備廠商荏原制作所共同實(shí)施成膜技術(shù)及CMP技術(shù)的聯(lián)合評(píng)測(cè)。
銅布線相關(guān)領(lǐng)域是制造裝置廠商激烈競(jìng)爭(zhēng)的領(lǐng)域之一。該領(lǐng)域因銅布線的應(yīng)用范圍由邏輯LSI擴(kuò)大到閃存及DRAM，市場(chǎng)有望進(jìn)一步擴(kuò)大，因此，現(xiàn)有廠商之間競(jìng)爭(zhēng)激烈，新廠商涉足該領(lǐng)域的熱情也十分高漲。另外，從3Xnm工藝到2Xnm工藝之間，存在的技術(shù)問(wèn)題日益顯現(xiàn)，因此，如果能夠開(kāi)發(fā)出可解決這些問(wèn)題的新技術(shù)，新廠商及份額較低的廠商就可能會(huì)獲得較高的份額。
具體的技術(shù)問(wèn)題是，隨著工藝技術(shù)微細(xì)化至3Xnm或2Xnm，在微細(xì)通孔中嵌入銅越來(lái)越困難。對(duì)此，在銅布線領(lǐng)域擁有業(yè)績(jī)的美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）及美國(guó)NovellusSysytems等目前正在改進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)。TEL力爭(zhēng)通過(guò)開(kāi)發(fā)新技術(shù)涉足該領(lǐng)域并獲得市場(chǎng)份額。TEL開(kāi)發(fā)的技術(shù)是，利用濺鍍機(jī)使用于鍍銅的底層、5nm厚的鈦（Ti）阻擋層成膜，并利用CVD在上面形成2nm厚的釕Liner層薄膜。另外，銅籽晶層成膜不成膜均可。
此次，為了普及推廣該技術(shù)，TEL與荏原就實(shí)施聯(lián)合評(píng)測(cè)達(dá)成了一致。雙方的目標(biāo)是，通過(guò)融合TEL的成膜技術(shù)與荏原的CMP技術(shù)，確立適用于2Xnm工藝半導(dǎo)體量產(chǎn)的工藝整合技術(shù)，今后由兩公司提供采用該技術(shù)的制造裝置等。另外，還會(huì)實(shí)施將此次的技術(shù)用于硅通孔（through siliconvia：TSV）的聯(lián)合評(píng)測(cè)。實(shí)施這樣的聯(lián)合評(píng)測(cè)，TEL的用意在于促使半導(dǎo)體廠商采用該公司的技術(shù)，對(duì)于荏原而言，好處在于半導(dǎo)體廠商在采用TEL的技術(shù)時(shí)，更易同時(shí)采用荏原的CMP裝置。
此次實(shí)施聯(lián)合評(píng)測(cè)的地點(diǎn)有TEL的山梨縣韮崎基地，荏原位于神奈川縣藤澤市的基地，以及美國(guó)納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）的奧爾巴尼納米技術(shù)中心（AlbanyNanoTech）3處。在CNSE-Abany，TEL和荏原將在分配給自己的時(shí)間內(nèi)使用該中心的設(shè)備，僅在兩公司間實(shí)施評(píng)測(cè)。（記者：長(zhǎng)廣 恭明）
銅布線相關(guān)領(lǐng)域是制造裝置廠商激烈競(jìng)爭(zhēng)的領(lǐng)域之一。該領(lǐng)域因銅布線的應(yīng)用范圍由邏輯LSI擴(kuò)大到閃存及DRAM，市場(chǎng)有望進(jìn)一步擴(kuò)大，因此，現(xiàn)有廠商之間競(jìng)爭(zhēng)激烈，新廠商涉足該領(lǐng)域的熱情也十分高漲。另外，從3Xnm工藝到2Xnm工藝之間，存在的技術(shù)問(wèn)題日益顯現(xiàn)，因此，如果能夠開(kāi)發(fā)出可解決這些問(wèn)題的新技術(shù)，新廠商及份額較低的廠商就可能會(huì)獲得較高的份額。
具體的技術(shù)問(wèn)題是，隨著工藝技術(shù)微細(xì)化至3Xnm或2Xnm，在微細(xì)通孔中嵌入銅越來(lái)越困難。對(duì)此，在銅布線領(lǐng)域擁有業(yè)績(jī)的美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）及美國(guó)NovellusSysytems等目前正在改進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)。TEL力爭(zhēng)通過(guò)開(kāi)發(fā)新技術(shù)涉足該領(lǐng)域并獲得市場(chǎng)份額。TEL開(kāi)發(fā)的技術(shù)是，利用濺鍍機(jī)使用于鍍銅的底層、5nm厚的鈦（Ti）阻擋層成膜，并利用CVD在上面形成2nm厚的釕Liner層薄膜。另外，銅籽晶層成膜不成膜均可。
此次，為了普及推廣該技術(shù)，TEL與荏原就實(shí)施聯(lián)合評(píng)測(cè)達(dá)成了一致。雙方的目標(biāo)是，通過(guò)融合TEL的成膜技術(shù)與荏原的CMP技術(shù)，確立適用于2Xnm工藝半導(dǎo)體量產(chǎn)的工藝整合技術(shù)，今后由兩公司提供采用該技術(shù)的制造裝置等。另外，還會(huì)實(shí)施將此次的技術(shù)用于硅通孔（through siliconvia：TSV）的聯(lián)合評(píng)測(cè)。實(shí)施這樣的聯(lián)合評(píng)測(cè)，TEL的用意在于促使半導(dǎo)體廠商采用該公司的技術(shù)，對(duì)于荏原而言，好處在于半導(dǎo)體廠商在采用TEL的技術(shù)時(shí)，更易同時(shí)采用荏原的CMP裝置。
此次實(shí)施聯(lián)合評(píng)測(cè)的地點(diǎn)有TEL的山梨縣韮崎基地，荏原位于神奈川縣藤澤市的基地，以及美國(guó)納米科學(xué)與工程學(xué)院（CNSE）的奧爾巴尼納米技術(shù)中心（AlbanyNanoTech）3處。在CNSE-Abany，TEL和荏原將在分配給自己的時(shí)間內(nèi)使用該中心的設(shè)備，僅在兩公司間實(shí)施評(píng)測(cè)。（記者：長(zhǎng)廣 恭明）
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