三星電子在稍早正式量產20納米Mobile DRAM，此舉有望拉開與競爭對手的技術差距。（SK海力士(SK Hynix)預計在下半年正式量產20納米中段制程產品，恐怕要等到2015年才有望能成功研發(fā)20納米產品）尤其在競爭對手們仍停留在20納米中段制程的情況下，隨著三星在20納米時代下畫上句點，分析認為，三星將有望可以在2015年前進10納米時代，拉開與對手的技術差距。

韓媒edaily指出，三星繼稍早3月投產的PC用20納米4Gb DDR3 DRAM，此次將20納米制程擴大到Mobile DRAM。采用20納米制程的產品可以提升30%以上的生產力，而電力消耗量也可以節(jié)省10%以上。

更多而三星透過此次研發(fā)20納米DRAM，將可以大幅減少成本。尤其是從2014年開始，Mobile DRAM需求超越PC用DRAM，三星半導體業(yè)績有望大幅改善。根據朝鮮日報引用市調機構DRAMeXchange資料指出，2014年Moblie DRAM出貨量比重，將以36%首度超越PC用DRAM的30%。

三星則是計劃透過20納米產品，搶占大容量Mobile DRAM市場。三星記憶體事業(yè)部行銷團隊常務白志浩(音譯)自信滿滿的表示，此次推出的20納米Mobile DRAM將能稱霸高性能Mobile DRAM市場，未來將會搭載在旗艦智慧型手機、平板電腦、穿戴式裝置等產品上。

三星從2006年開始研發(fā)50納米級DRAM后，在2010年進展到30納米級，2011年時則推進到20納米級微細制程。edaily指出，三星在2014年正式量產20納米產品后，極有可能率先進入10納米級時代。

隨著三星研發(fā)出改良型的雙圖樣微影技術(Double Patterning)，透過既有設備做好量產10納米級產品的準備。南韓半導體業(yè)界預估，三星將會在2015年研發(fā)出10納米級產品，并在2016年開始投產。