IBM周五推出一項微芯片工藝技術中的新改進。該公司表示，這項改進將讓為手機和其它通信設備制造更高速的硅設備一事成為可能。

在周四發(fā)表的一份聲明中，藍色巨人表示他們將開始向客戶提供一種經(jīng)過改進的、在硅芯片上布鍺線的技術。

IBM表示，他們在十年前就發(fā)明了硅鍺工藝技術，然后一直對之進行改進。通過把鍺加入到硅中——就是我們所說的半導體摻雜過程——芯片做電平翻轉的速度就能更快。這種速度增長對射頻通信設備尤其有意義，因為他們需要對信號做高速的調(diào)制。

IBM表示，改進后的技術能讓芯片在200GHz這個頻率上運作，也就是說每秒動作2000億次。這種速度有助于通信技術，甚至包括汽車的反撞雷達技術的進步。

硅鍺是芯片標準工藝技術CMOS的一種替代品。然而目前，硅鍺在整個芯片市場上所占的份額還很小，其每年的銷售在16億美元左右。