[導(dǎo)讀]在9月初SemiconTaiwan舉辦的“450mm供應(yīng)鏈”研討會中,臺積電和G450C(全球450聯(lián)盟)明確揭示了18寸晶圓預(yù)計于2018年投入量產(chǎn)的發(fā)展時程。相對于臺積電的信心滿滿,包括TEL(東京威力科創(chuàng))、LamResearch、應(yīng)用材料和KLA
在9月初SemiconTaiwan舉辦的“450mm供應(yīng)鏈”研討會中,臺積電和G450C(全球450聯(lián)盟)明確揭示了18寸晶圓預(yù)計于2018年投入量產(chǎn)的發(fā)展時程。相對于臺積電的信心滿滿,包括TEL(東京威力科創(chuàng))、LamResearch、應(yīng)用材料和KLA-Tencor等設(shè)備制造商,卻都異口同聲地談到,設(shè)備業(yè)者所面臨的嚴(yán)峻開發(fā)成本與風(fēng)險挑戰(zhàn)?!?BR>
G450C的18寸晶圓量產(chǎn)時程
G450C(Global450Consortium)是由英特爾、三星、臺積電、IBM和GlobalFoundries五家龍頭業(yè)者于去年共組的18寸晶圓研發(fā)聯(lián)盟,在這些業(yè)者的積極推動下,18寸晶圓的發(fā)展藍(lán)圖也越來越為明確。
臺積電派駐于G450C的林進(jìn)祥博士表示,一年來18寸晶圓的技術(shù)開發(fā)與業(yè)者的參與程度都有顯著進(jìn)展。G450C的目標(biāo)是從今年起展開14奈米的技術(shù)展示,到2015~2016年進(jìn)入10奈米試產(chǎn)。
而就制造設(shè)備的成熟度來看,大部分設(shè)備到2014年都能完成試驗機(jī)臺的開發(fā),但最重要的蝕刻技術(shù),則預(yù)計要到2016年完成初步試驗機(jī)臺,2018年完成量產(chǎn)機(jī)臺開發(fā)。
目前,G450C是采用壓印(imprint)技術(shù)作為過渡時期的蝕刻方案,未來將朝193i(浸潤式193nm)與EUV發(fā)展。G450C的無塵室預(yù)定于2012年12月就緒,這將會是全球第一座18寸晶圓廠。
臺積電450mm計劃資深總監(jiān)游秋山博士則是提到了公司內(nèi)部對18寸晶圓設(shè)備設(shè)定的目標(biāo),希望與12寸設(shè)備相比,整體設(shè)備效率能于2018年達(dá)到1.1倍、2020年提升至1.8倍。此外,設(shè)備價格小于1.4倍、尺寸小于1.5倍、缺陷密度小于0.4倍,以及平均每片晶圓能維持相同的水電消耗。
這個數(shù)據(jù)一提出,當(dāng)場就有設(shè)備業(yè)者問到,若晶片制造商希望設(shè)備效率提高1.8倍,但卻僅希望付出1.4倍的價格,這樣如何說服設(shè)備業(yè)者投入龐大資金開發(fā)新的18寸晶圓設(shè)備?
這個問題,的確觸及到眾多設(shè)備制造商的痛處?;叵氘?dāng)初移轉(zhuǎn)至12寸晶圓的慘痛教訓(xùn),現(xiàn)在18寸晶圓的大餅更是不這么好吃。
推動18寸晶圓量產(chǎn),主要的考量在于取得成本效益,希望能延續(xù)過去從6寸移轉(zhuǎn)至8寸、12寸的發(fā)展軌跡,透過更高的每片晶圓產(chǎn)出,讓晶片成本能持續(xù)下降。然而,這套過去適用的摩爾定律,隨著制程微縮趨近極限,以及18寸晶圓的龐大機(jī)臺投資,能否再和過去一樣帶來同樣的成本效益,實在令人懷疑。
此外,全球經(jīng)濟(jì)前景的不確定性,以及未來幾有少數(shù)幾家制造業(yè)者有能力買單,投資報酬率有限,種種因素,都讓設(shè)備業(yè)者對此議題顯得裹足不前,進(jìn)退兩難。
設(shè)備廠商痛苦跟隨
TEL副總裁暨企業(yè)行銷總經(jīng)理關(guān)口章九甚至說,如果業(yè)界沒有充分的事先討論,共同開發(fā)機(jī)臺,450mm將會是一場災(zāi)難。而且,漫長的450mm市場成熟期會讓設(shè)備商的財務(wù)風(fēng)險增加。
LamResearch公司450mm計劃副總裁MarkFissel也以12寸晶圓移轉(zhuǎn)為例指出,從1995年試驗機(jī)臺首度完成開發(fā),由于歷經(jīng)網(wǎng)路泡沫等經(jīng)濟(jì)因素,一直到2004年,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整整花了9年的時間,才使得12寸晶圓出貨量超過8寸晶圓。
而18寸晶圓即使能于2018年投入量產(chǎn),可能需要更長的時間才能成為主流,面對既有12寸晶圓先進(jìn)制程持續(xù)投資與18寸晶圓開發(fā)的雙重壓力,設(shè)備業(yè)者若沒有強(qiáng)大的財務(wù)支援,很有可能無以為繼。
游秋山也坦承,移轉(zhuǎn)至18寸晶圓還有許多挑戰(zhàn)有待克服。首先,業(yè)界有沒有辦法在2015年前就10奈米制程蝕刻技術(shù)取得重大突破?同時,合理的設(shè)備成本、顯著的生產(chǎn)力提升、全自動化無人生產(chǎn)線、環(huán)保工廠等議題都需要獲得全面性的解決,才有可能讓18寸晶圓量產(chǎn)得到預(yù)期的成本效益。
游秋山指出,當(dāng)初業(yè)界朝12寸晶圓移轉(zhuǎn)時,也曾面臨許多質(zhì)疑。但事實證明,透過多項的技術(shù)創(chuàng)新與突破,仍然克服了種種挑戰(zhàn),因此他樂觀認(rèn)為,18寸晶圓量產(chǎn)目標(biāo)終將能夠成功。
不過,不管是從晶片制造商和設(shè)備商的角度來看,18寸晶圓都已成為少數(shù)幾家業(yè)者才能玩得起的游戲,這是與業(yè)界朝12寸晶圓移轉(zhuǎn)時,完全不同的產(chǎn)業(yè)環(huán)境與需求。?口章九表示,即使幾家重量級制造商已經(jīng)訂出了量產(chǎn)時程目標(biāo),但高昂的進(jìn)入成本,將是不利于創(chuàng)新的。
ASML的聯(lián)合開發(fā)計劃
盡管困難重重,但臺積電、英特爾、三星這些龍頭業(yè)者,為了延續(xù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、持續(xù)保持領(lǐng)先優(yōu)勢,并建立更高的競爭障礙,勢必得在朝18寸晶圓移轉(zhuǎn)的這項行動中奮力前進(jìn)。
對此議題,應(yīng)用材料矽晶系統(tǒng)部門副總裁KirkHasserjian總結(jié)了順利移轉(zhuǎn)至18寸晶圓世代的六項關(guān)鍵因素,分別是:業(yè)界同步的移轉(zhuǎn)時程、蝕刻技術(shù)成熟度、成本分?jǐn)?、協(xié)同合作、創(chuàng)新、以及供應(yīng)鏈的就緒。
成本分?jǐn)偂⒑献鲃?chuàng)新在18寸晶圓世代將顯得重要。林進(jìn)祥也鼓勵設(shè)備業(yè)者說,現(xiàn)在共同承擔(dān)風(fēng)險,未來終將能共同分享利益。
提到成本與風(fēng)險分?jǐn)?,微影設(shè)備大廠ASML日前提出的聯(lián)合開發(fā)計劃便是一個極佳的范例。微影技術(shù)能否就緒,攸關(guān)18寸晶圓量產(chǎn)目標(biāo)的實現(xiàn),而ASML的動作更是扮演了舉足輕重的角色。
ASML在今年7月提出了客戶聯(lián)合投資計劃,在英特爾首先表態(tài)以41億美元收購ASML的15%股權(quán)后、臺積電和三星也分別跟進(jìn),各取得5%和3%的股權(quán),將共同研發(fā)下一代微影技術(shù)。
臺積電、英特爾、三星是未來半導(dǎo)體制造的三大勢力,盡管彼此間的角力激烈,但從G450C的合作,到ASML的共同入主,卻又不得不共同分?jǐn)傁乱淮?8寸晶圓制造的龐大研發(fā)成本。它們之間的競合關(guān)系是未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)注重點(diǎn),也是18寸量產(chǎn)目標(biāo)能否成真的重要關(guān)鍵。(作者為CTIMES特約主筆)
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驅(qū)動電源
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驅(qū)動電源
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LED
驅(qū)動電源
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LED驅(qū)動電源是把電源供應(yīng)轉(zhuǎn)換為特定的電壓電流以驅(qū)動LED發(fā)光的電壓轉(zhuǎn)換器,通常情況下:LED驅(qū)動電源的輸入包括高壓工頻交流(即市電)、低壓直流、高壓直流、低壓高頻交流(如電子變壓器的輸出)等。
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LED驅(qū)動電源
led照明
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