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[導讀]隨著三星電子(SamsungElectronics)、全球晶圓(GlobalFoundries)積極強化晶圓代工業(yè)務(wù),臺積電面對競爭對手挖墻角壓力,近期積極招募各方好手,除舉辦各類競賽挖掘研發(fā)人員,亦采取預聘(advancedoffer)方式,搶大專院

隨著三星電子(SamsungElectronics)、全球晶圓(GlobalFoundries)積極強化晶圓代工業(yè)務(wù),臺積電面對競爭對手挖墻角壓力,近期積極招募各方好手,除舉辦各類競賽挖掘研發(fā)人員,亦采取預聘(advancedoffer)方式,搶大專院校新鮮人,希望未來在2x奈米以下先進制程研發(fā)腳步更領(lǐng)先,進一步拉大與競爭者差距。

臺積電2010年大興土木,除中科晶圓十五廠(Fab15)動土,LED廠預計2010年底前設(shè)備進廠,薄膜太陽能廠亦即將動工,在產(chǎn)能不斷提高下,亟需培養(yǎng)人才,2010年初增聘3,000人,另外有2,000個派遣職缺將于10月前全數(shù)轉(zhuǎn)為正職,6月初宣布再征求3,000人,總計全年新增8,000人。

半導體業(yè)者指出,其實近年來電子業(yè)征才普遍不易,尤其具備半導體制程能力的人才欠缺,主要系因大環(huán)境資源分配多傾向培養(yǎng)designhouse人才,使得擁有制程能力人才數(shù)量越來越少。此外,盡管政府有研發(fā)替代役名額,然2010年僅有80個名額,為此臺積電已率先啟動預聘制度,在大學畢業(yè)前就先給予正式聘雇書,亦即大學生可提前20個月拿到聘書,待服完兵役再前往臺積電報到就業(yè)。

事實上,不論外在經(jīng)濟如何變化,臺積電都給予預聘人才工作機會保障,2010年預聘名額達300~400人,往年報到率超過8成。臺積電研發(fā)組織資深副總蔣尚義指出,2010年臺積電擁有200多億元研發(fā)經(jīng)費,希望優(yōu)秀人才加入臺積電。為對抗三星與全球晶圓來勢洶洶,臺積電將原本已退休的蔣尚義延攬回鍋掌研發(fā)兵符,全力在2x奈米以下先進制程搶先競爭對手,并拉開差距。

臺積電奈米制像技術(shù)發(fā)展處資深處長林本堅指出,目前臺積電在20奈米制程采用浸潤式微影及雙重曝光(double-patterning)技術(shù),在2x奈米以下,臺積電則采取深紫外光(EUV)與無光罩電子束(e-beam)技術(shù)同步并進,日前已采用Mapper多重電子束技術(shù),成功試產(chǎn)20奈米DRAM芯片,由于電子束相較于EUV不用光罩,大幅降低成本。

另外,臺積在新竹晶圓十二廠(Fab12)亦有1臺ASML的EUV機臺,正進行研發(fā)中。臺積電指出,在兩種技術(shù)上齊頭并進,希望未來能讓客戶不論是采用哪里種技術(shù),都不需要擔心,能放心將設(shè)計交給臺積電進行生產(chǎn)制造。

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