Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場9%
[導(dǎo)讀]市調(diào)機構(gòu)YoleDeveloppement稍早前發(fā)布了一份針對3DIC與矽穿孔(TSV)的調(diào)查報告，指出過去一年來，所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(包括CMOS影像感測器、環(huán)境光感測器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等產(chǎn)品產(chǎn)值
市調(diào)機構(gòu)YoleDeveloppement稍早前發(fā)布了一份針對3DIC與矽穿孔(TSV)的調(diào)查報告，指出過去一年來，所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(包括CMOS影像感測器、環(huán)境光感測器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等產(chǎn)品產(chǎn)值約為27億美元，而到了2017年，該數(shù)字還可望成長到400億美元，占總半導(dǎo)體市場的9%。
YoleDeveloppement的先進封裝部市場暨技術(shù)分析師LionelCadix指出，3DIC通常使用TSV技術(shù)來堆疊記憶體和邏輯IC，預(yù)計此類元件將快速成長；另外，3DWLCSP也將以18%的年復(fù)合成長率(CAGR)快速成長。
2017年，3DTSV晶片將占總半導(dǎo)體市場的9%。
3DWLCSP：最成熟的3DTSV平臺
3DWLCSP是當(dāng)前能高效整合小尺寸光電元件如CMOS影像感測器等的首選解決方案。它也是目前最成熟的3DTSV平臺，YoleDeveloppement估計，2011年該市場規(guī)模大約為2.7億美元，其中有超過90%來自于低階和低解析度CMOS影像感測器(通常指CIF,VGA,1MPx/2MPx感測器等)。臺灣的精材科技(Xintec)是當(dāng)前3DWLCSP封裝的領(lǐng)先廠商，接下來是蘇州晶方半導(dǎo)體科技(ChinaWLCSP)、東芝(Toshiba)和JCAP。
大多數(shù)3DWLCSP業(yè)者都以200mm晶圓級封裝服務(wù)為主。不過，各大主要業(yè)者均有朝300mm轉(zhuǎn)移趨勢。事實上，此一趨勢也是邁向高階CMOS影像感測器市場(>8MPx解析度)的必要過程，目前的感測器市場也正在從背面照度(backsideillumination)朝真正的3DIC封裝架構(gòu)轉(zhuǎn)移。這種最新架構(gòu)稱之為「3DBSI」，其中的光電二極體是直接垂直堆疊在DSP/ROIC晶圓上，并透過TSV連接。
未來的3DIC將由記憶體和邏輯堆疊SoC驅(qū)動
未來幾十年內(nèi)，3DIC都將憑借著更低的成本、更小的體積，以及推動晶片功能進化等優(yōu)勢，成為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新典范。YoleDeveloppement先進封裝事業(yè)部經(jīng)理JeromeBaron指出，預(yù)估未來五年內(nèi)，3D堆疊DRAM和3D邏輯SoC應(yīng)用將成為推動3DIC技術(shù)獲得大量采用的最主要驅(qū)動力，接下來依序是CMOS影像感測器、功率元件和MEMS等。他表示，今天帶動高階應(yīng)用的仍然是2.5D矽中介層技術(shù)。拜先進晶片設(shè)計和封裝技術(shù)之賜，更多大型的FPGA和ASIC等晶片已經(jīng)開始應(yīng)用在工業(yè)領(lǐng)域，而且未來還將應(yīng)用在游戲和智慧電視等市場中。
2013年，在記憶體公司如美光(Micron)、三星(Samsung)、SK-Hynix，以及IBM和其他高性能運算設(shè)備供應(yīng)商的帶動下，3DIC技術(shù)可望獲得顯著成長。
然而，可能要等到2014或2015年，所謂的wideI/O介面以及在28nm采用TSV技術(shù)來大量制造行動/平板產(chǎn)品專用應(yīng)用處理器晶片的情況才可能發(fā)生。事實上，要成功推動3DIC，除了技術(shù)問題，還涉及到復(fù)雜的供應(yīng)鏈部份，它要改變的層面非常多。因此，包括三星和臺積電(TSMC)在內(nèi)的晶圓代工巨擘們，都不停針對3DIC展開垂直整合布局，希望能滿足領(lǐng)先無晶圓廠半導(dǎo)體公司，如高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)、Marvell、NVIDIA和蘋果(Apple)的需求，以及其他采取輕晶圓廠策略的業(yè)者如德州儀器(TI)、意法半導(dǎo)體(ST)和NEC/瑞薩(Renesas)等。
YoleDeveloppement的先進封裝部資深分析師Jean-MarcYannou指出，3DTSV的半導(dǎo)體封裝、組裝和測試市場在2017年將達到80億美元?！拔磥碓谕卣?DIC業(yè)務(wù)時，業(yè)界必須尋求所謂的「虛擬IDM」模式，”他指出，包括TSV蝕刻填充、布線、凸塊、晶圓測試和晶圓級組裝在內(nèi)的中階晶圓處理部份，市場規(guī)模預(yù)計可達38億美元。另外，后段的組裝和測試部份，如3DIC模組等，預(yù)估將達46億美元，而這些，都代表著先進封裝產(chǎn)業(yè)未來可持續(xù)獲得成長的商機所在。
YoleDeveloppement的先進封裝部市場暨技術(shù)分析師LionelCadix指出，3DIC通常使用TSV技術(shù)來堆疊記憶體和邏輯IC，預(yù)計此類元件將快速成長；另外，3DWLCSP也將以18%的年復(fù)合成長率(CAGR)快速成長。
2017年，3DTSV晶片將占總半導(dǎo)體市場的9%。
3DWLCSP：最成熟的3DTSV平臺
3DWLCSP是當(dāng)前能高效整合小尺寸光電元件如CMOS影像感測器等的首選解決方案。它也是目前最成熟的3DTSV平臺，YoleDeveloppement估計，2011年該市場規(guī)模大約為2.7億美元，其中有超過90%來自于低階和低解析度CMOS影像感測器(通常指CIF,VGA,1MPx/2MPx感測器等)。臺灣的精材科技(Xintec)是當(dāng)前3DWLCSP封裝的領(lǐng)先廠商，接下來是蘇州晶方半導(dǎo)體科技(ChinaWLCSP)、東芝(Toshiba)和JCAP。
大多數(shù)3DWLCSP業(yè)者都以200mm晶圓級封裝服務(wù)為主。不過，各大主要業(yè)者均有朝300mm轉(zhuǎn)移趨勢。事實上，此一趨勢也是邁向高階CMOS影像感測器市場(>8MPx解析度)的必要過程，目前的感測器市場也正在從背面照度(backsideillumination)朝真正的3DIC封裝架構(gòu)轉(zhuǎn)移。這種最新架構(gòu)稱之為「3DBSI」，其中的光電二極體是直接垂直堆疊在DSP/ROIC晶圓上，并透過TSV連接。
未來的3DIC將由記憶體和邏輯堆疊SoC驅(qū)動
未來幾十年內(nèi)，3DIC都將憑借著更低的成本、更小的體積，以及推動晶片功能進化等優(yōu)勢，成為未來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新典范。YoleDeveloppement先進封裝事業(yè)部經(jīng)理JeromeBaron指出，預(yù)估未來五年內(nèi)，3D堆疊DRAM和3D邏輯SoC應(yīng)用將成為推動3DIC技術(shù)獲得大量采用的最主要驅(qū)動力，接下來依序是CMOS影像感測器、功率元件和MEMS等。他表示，今天帶動高階應(yīng)用的仍然是2.5D矽中介層技術(shù)。拜先進晶片設(shè)計和封裝技術(shù)之賜，更多大型的FPGA和ASIC等晶片已經(jīng)開始應(yīng)用在工業(yè)領(lǐng)域，而且未來還將應(yīng)用在游戲和智慧電視等市場中。
2013年，在記憶體公司如美光(Micron)、三星(Samsung)、SK-Hynix，以及IBM和其他高性能運算設(shè)備供應(yīng)商的帶動下，3DIC技術(shù)可望獲得顯著成長。
然而，可能要等到2014或2015年，所謂的wideI/O介面以及在28nm采用TSV技術(shù)來大量制造行動/平板產(chǎn)品專用應(yīng)用處理器晶片的情況才可能發(fā)生。事實上，要成功推動3DIC，除了技術(shù)問題，還涉及到復(fù)雜的供應(yīng)鏈部份，它要改變的層面非常多。因此，包括三星和臺積電(TSMC)在內(nèi)的晶圓代工巨擘們，都不停針對3DIC展開垂直整合布局，希望能滿足領(lǐng)先無晶圓廠半導(dǎo)體公司，如高通(Qualcomm)、博通(Broadcom)、Marvell、NVIDIA和蘋果(Apple)的需求，以及其他采取輕晶圓廠策略的業(yè)者如德州儀器(TI)、意法半導(dǎo)體(ST)和NEC/瑞薩(Renesas)等。
YoleDeveloppement的先進封裝部資深分析師Jean-MarcYannou指出，3DTSV的半導(dǎo)體封裝、組裝和測試市場在2017年將達到80億美元?！拔磥碓谕卣?DIC業(yè)務(wù)時，業(yè)界必須尋求所謂的「虛擬IDM」模式，”他指出，包括TSV蝕刻填充、布線、凸塊、晶圓測試和晶圓級組裝在內(nèi)的中階晶圓處理部份，市場規(guī)模預(yù)計可達38億美元。另外，后段的組裝和測試部份，如3DIC模組等，預(yù)估將達46億美元，而這些，都代表著先進封裝產(chǎn)業(yè)未來可持續(xù)獲得成長的商機所在。
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