[導(dǎo)讀]目前的DRAM市場(chǎng)充滿不確定的訊號(hào),有人認(rèn)為景氣高峰期已經(jīng)結(jié)束了,也有人認(rèn)為現(xiàn)在才正要開始,而且產(chǎn)品短缺的狀況將會(huì)在可見的未來徘徊不去。還有人說,景氣高峰期會(huì)持續(xù),但將因?yàn)閮?nèi)存廠商缺乏晶圓廠設(shè)備而受到限制
目前的DRAM市場(chǎng)充滿不確定的訊號(hào),有人認(rèn)為景氣高峰期已經(jīng)結(jié)束了,也有人認(rèn)為現(xiàn)在才正要開始,而且產(chǎn)品短缺的狀況將會(huì)在可見的未來徘徊不去。
還有人說,景氣高峰期會(huì)持續(xù),但將因?yàn)?strong>內(nèi)存廠商缺乏晶圓廠設(shè)備而受到限制;據(jù)了解,ASML與Nikon等設(shè)備供貨商,無法應(yīng)付內(nèi)存廠客戶在先進(jìn)制程DRAM量產(chǎn)方面對(duì)193納米浸潤式微影掃描機(jī)(immersionlithographyscanner)的需求。
由于DRAM制造商在近年來的景氣循環(huán)中,都無法投資新的資本設(shè)備,再加上一些其它因素,使得整體DRAM位成長率在2010年恐怕僅有低于預(yù)期的2~4%。為此市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli已將2010年DRAM市場(chǎng)成長率由49%調(diào)降為45%。
DRAM產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)況與前景究竟如何?有些人對(duì)短期趨勢(shì)抱持悲觀態(tài)度;VLSIResearch執(zhí)行長G.DanHutcheson即表示,目前有三分之二的晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)充計(jì)劃集中在內(nèi)存,而這個(gè)狀況又是由DRAM廠商所主導(dǎo)。
「在5月份時(shí),每個(gè)人都認(rèn)為廠商之間的整并將限制產(chǎn)能過度擴(kuò)充問題;但不到一個(gè)季的時(shí)間,眼前的景象已經(jīng)從無止盡缺貨轉(zhuǎn)換為過剩?!笻utcheson認(rèn)為。
但也有人不認(rèn)同以上意見;「我們認(rèn)為DRAM景氣還能好上一陣子,原因是企業(yè)換機(jī)周期(將持續(xù)數(shù)年、不只是數(shù)季)、以及DRAM景氣循環(huán)速度處于停滯狀態(tài)(供應(yīng)量成長狀況更可預(yù)期、平均銷售價(jià)格亦維持穩(wěn)定),與1980、90年代那時(shí)不同?!筊aymondJames&Associates分析師HansMosesmann表示。
Mosesmann指出,DRAM廠商預(yù)期今年第三季位需求可較前一季成長13~15%,第四季的狀況也差不多;部份廠商甚至預(yù)測(cè)2011年將出現(xiàn)100%以上的位成長率。這不僅意味著整體位需求量的成長,也顯示了企業(yè)應(yīng)用端(服務(wù)器)轉(zhuǎn)換至英特爾(Intel)Nehalem處理器架構(gòu),也對(duì)DRAM有更多需求。
iSuppli的資深DRAM產(chǎn)業(yè)分析師MikeHoward則認(rèn)為,DRAM是對(duì)各種供需變化因素非常敏感的商品;預(yù)期在2010年,DRAM整體出貨將達(dá)1.59億Gbit約當(dāng)位量,較去年的1.07億成長48.6%。
「今年度大多數(shù)的DRAM需求量,預(yù)測(cè)將在下半年產(chǎn)生;第三與第四季的DRAM位成長率可望各達(dá)11%。」相較之下,第一與第二季的DRAM位成長率都遠(yuǎn)低于10%;因此Howard指出,集中在短短半年時(shí)間內(nèi)的大量需求,會(huì)是對(duì)DRAM供貨商生產(chǎn)力的嚴(yán)苛考驗(yàn)。
兩個(gè)負(fù)面因素
然而iSuppli指出,有兩個(gè)因素可能對(duì)下半年的DRAM市場(chǎng)產(chǎn)生負(fù)面影響;其一,是ASML目前無法為市場(chǎng)供應(yīng)足夠的193納米浸潤式微影掃描機(jī),Nikon也即將面臨相同窘境:「雖然ASML今年可望交出額外的33套浸潤式掃瞄設(shè)備,但這無法解決目前的供應(yīng)瓶頸。」
其二,沒有了193納米浸潤式掃描機(jī),DRAM制造商將在進(jìn)入50納米以下制程遭遇困難;包括三星(Samsung)、海力士(Hynix)與美光(Micron)都是因?yàn)槿〉昧?93納米浸潤式微影掃描機(jī)與其它設(shè)備,才能升級(jí)到50納米以下制程。
但iSuppli指出,對(duì)資源有限或是那些正在協(xié)議轉(zhuǎn)手的廠商來說,所伴隨而來的許多困難,也可能減少其總產(chǎn)出,并對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)在該制程節(jié)點(diǎn)的位成長率造成負(fù)面影響。例如正在從6x納米制程轉(zhuǎn)換至45納米制程的爾必達(dá)(Elpida),就可能是造成該公司良率問題的原因。
總之一個(gè)最大的問題就是:DRAM制造商能在多快的時(shí)間內(nèi)升級(jí)產(chǎn)品?ConvergentSemiconductors分析師BobMerritt的答案是:“就看他們何時(shí)能籌到足夠的資金來做這件事;但現(xiàn)在要升級(jí)制程的代價(jià)越來越高昂,這會(huì)變成一個(gè)難以往上爬的陡坡?!?BR>
就像NAND閃存產(chǎn)業(yè)的情況,DRAM廠商都希望能盡快添購193納米浸潤式微影;不過三星則積極在下一代DRAM生產(chǎn)上采用深紫外光微影(EUV),EUV設(shè)備的成本每套可能超過1億美元,浸潤式微影掃描機(jī)的價(jià)格則是5,000萬美元起跳。
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據(jù)業(yè)內(nèi)消息,昨天半導(dǎo)體光刻機(jī)供應(yīng)商荷蘭ASML公司發(fā)布了今年Q3季度的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù), 其中銷售額和利潤均好于預(yù)期,凈預(yù)訂數(shù)據(jù)更是創(chuàng)新紀(jì)錄。
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ASML
荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥(ASML)發(fā)布2022年第三季度業(yè)績。期內(nèi)凈銷售額58億歐元,同比增長10.24%;凈利潤17億歐元,同比下降2.24%。第三季度,ASML賣出了80臺(tái)全新的光刻系統(tǒng),以及6臺(tái)二手光刻系統(tǒng)。三季度新...
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ASML
光刻機(jī)
EUV
(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon?)移動(dòng)平臺(tái)上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫存壓力進(jìn)一步升高。同時(shí),各DRAM供應(yīng)...
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消費(fèi)性
DRAM
智能手機(jī)
三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺(tái)上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和存儲(chǔ)器之間的高速信號(hào)環(huán)境,三星超過了自身...
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GBPS
三星
內(nèi)存
LPDDR5
- 在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺(tái)上,三星以8.5Gbps的運(yùn)行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗(yàn)證,為LPDDR(移動(dòng)端)內(nèi)存打開了新市場(chǎng)。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三...
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DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
(全球TMT2022年10月18日訊)三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗(yàn)證,可在驍龍(Snapdragon)移動(dòng)平臺(tái)上使用,該內(nèi)存速度可達(dá)到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過優(yōu)化應(yīng)用處理器和...
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GBPS
三星
亞馬遜
內(nèi)存
據(jù)彭博社2月9日的消息,荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥(ASML)警告稱,一家此前被指控竊取其商業(yè)機(jī)密的中國公司的關(guān)聯(lián)公司已開始銷售疑似侵犯其知識(shí)產(chǎn)權(quán)的產(chǎn)品。
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ASML
光刻機(jī)
知識(shí)產(chǎn)權(quán)
在三星 Tech Day 2022 活動(dòng)上,三星電子總裁兼內(nèi)存業(yè)務(wù)負(fù)責(zé)人 Jung-bae Lee 表示,三星 40 多年來共生產(chǎn)了 1 萬億 GB 內(nèi)存,僅在過去三年中就產(chǎn)生了大約一半。
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三星
內(nèi)存
儲(chǔ)存芯片
眾所周知,目前5nm及以下的尖端半導(dǎo)體制程必須要用到價(jià)格極其高昂的EUV光刻機(jī),ASML是全球唯一的供應(yīng)商。更為尖端2nm制程的則需要用到ASML新一代0.55 NA EUV光刻機(jī),售價(jià)或高達(dá)4億美元。
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ASML
1nm
芯片
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會(huì)上公布了未來的3大規(guī)劃方向,其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。
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存儲(chǔ)
三星
NAND
DRAM
據(jù)韓媒報(bào)道,在日前舉辦的行業(yè)活動(dòng)上,IDC韓國副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計(jì),存儲(chǔ)半導(dǎo)體市場(chǎng)的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示,今年的市場(chǎng)需求較最初預(yù)期更為糟糕,預(yù)計(jì)來年三季度DRAM和NAN...
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SSD
DRAM
IDC
INSIGHT
與其他類型的半導(dǎo)體相比,存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化,對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。
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存儲(chǔ)芯片
半導(dǎo)體
DRAM
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日美國一家商業(yè)精密制造公司Zyvex表示制出了亞納米分辨率光刻系統(tǒng)ZyvexLitho1,這個(gè)系統(tǒng)沒有采用EUV光刻技術(shù),但是卻能產(chǎn)出只有0.7nm線寬的芯片,是目前最高制造精度。
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Zyvex
0.7nm
芯片
EBL
EUV
ASML
擱在四五年前,板載內(nèi)存極大可能會(huì)被用戶視為一臺(tái)輕薄本的缺點(diǎn),其實(shí)這也很好理解,板載內(nèi)存無法擴(kuò)容,而且當(dāng)時(shí)內(nèi)存容量并不大,板載內(nèi)存的頻率也普遍偏低,性能稍差,所以很多朋友選購輕薄本的時(shí)候,都會(huì)避開板載內(nèi)存。
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板載
內(nèi)存
半導(dǎo)體
據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,目前臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利,3nm制程將于今年下半年量產(chǎn),升級(jí)版3nm(N3E)制程將于2023年量產(chǎn),2nm制程將會(huì)在預(yù)定的2025年量產(chǎn)。目前,臺(tái)積電2nm晶圓廠將座落于竹科寶山二期擴(kuò)建計(jì)畫用地中,竹...
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2nm
臺(tái)積電
ASML
Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費(fèi)性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲(chǔ)器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲(chǔ)器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫...
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TrendForce集邦咨詢
DRAM
(全球TMT2022年9月22日訊)DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)急劇下滑 研究機(jī)構(gòu)IC Insights日前表示,DRAM市場(chǎng)出現(xiàn)急劇下滑。6月份全球DRAM產(chǎn)品銷售額環(huán)比下滑36%,7月份再次環(huán)比下滑21%,較5月...
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DRAM
可持續(xù)發(fā)展
INSIGHT
手機(jī)
荷蘭ASML公司 (全稱: Advanced Semiconductor Material Lithography,該全稱已經(jīng)不作為公司標(biāo)識(shí)使用,公司的注冊(cè)標(biāo)識(shí)為ASML Holding N.V),中文名稱為阿斯麥爾(中...
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ASML
工程師
芯片
繼DDR5 DRAM成為英特爾“Alder Lake”第12代處理器的標(biāo)準(zhǔn)配置之后,AMD近日也宣布其7000系列處理器將支持DDR5內(nèi)存,并在9月27日正式上市。AMD表示,該平臺(tái)將不再支持DDR4,只支持DDR5產(chǎn)品...
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DDR5
內(nèi)存
三星