[導(dǎo)讀]未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的CJMuse認為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段,在4x,3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有),是黃金時刻,然后在芯片制造中其
未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的CJMuse認為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段,在4x,3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有),是黃金時刻,然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多,如兩次圖形曝光(在NAND,DRAM及l(fā)ogic中),高k金屬柵等。由此,在未來的2011-2012年,甚至更長一段時期內(nèi)必須要加大投資強度。(Citigroup的TimArcuri建議要有五年時間,它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法)。另一位會議發(fā)言者CreditSuisse的SatyaKumar補充認為,目前正處于由技術(shù)投資向fab產(chǎn)能投資過渡,它指出,器件的尺寸縮小已達3xnm及以下。Muse也同意此觀點認為產(chǎn)能擴充僅僅開始。
盡管EUV技術(shù)已逐漸映入人們的眼球中,然而另外一些光刻動向正引起業(yè)界關(guān)注。如KrF光刻機,近期它的突然訂單加多,表示新的產(chǎn)能擴充時代真的到來又一標志。2010年TSMC有30臺訂單,Samsung有15臺及intel有10臺。它們的供應(yīng)商ASML,Nikon正努力設(shè)法完成供貨計劃,Muse在報告中稱全球在2010年需要60臺。另外,據(jù)應(yīng)用材料公司(AMAT)的報告,全球從現(xiàn)在起有14個新建fab,將增加產(chǎn)能,DRAM>200K/WSPM;NAND>320K/WSPM;Logic/foundry>350K/WSPM。
對于任何一家公司在先進技術(shù)制造與開發(fā)方面都有極大的挑戰(zhàn),這一點是無疑的。所以GlobalFoundries的高級副總裁GreggBartlett在它的發(fā)言中,重申如IBM的公共平臺合作方式對于目前是十分必要的。即便Intel的AndyBryant在它的講話中也發(fā)起在IDM,學(xué)校與供應(yīng)商之間加強合作的呼聲。
合作不僅是器件制造商之間的事,GlobalFoundries的TomSonderman建議合作模式中還必須包括設(shè)備制造商,如自動化、plug-in集成、及標準化的方法等。
EUV光刻到了哪里?
正如CreditSuisse的Kumar所言,對于每一位帶SEMICON標牌的人,已不懷疑EUV會到來。但是也有擔(dān)心,如掩模檢查(尤其是圖形尺寸在波長端的檢查)及光源功率,ASML可能己給Gigaphoton下了訂單。另外,巴克萊的Muse認為在2010年下半年它的EUV3300設(shè)備的訂單己多達10臺以上。
有關(guān)EUV的消息不是來自供應(yīng)商,而是來自客戶。在7月14日的會上Globalfoundries的Bartlett透露它的公司將放棄EUV設(shè)備的試產(chǎn)過程,而盡快在它的紐約州Malta正在建設(shè)的Fab8中進入量產(chǎn)實驗,估計為2012的下半年,而真正達到很大量產(chǎn)可能在2015年。關(guān)于如浸入式及兩次圖形曝光技術(shù)可能用在2x節(jié)點應(yīng)用。它并說EUV可能被用在下一代,16nm中。己經(jīng)有60種以上在Dresden掩模車間生產(chǎn)的EUV掩模準備待用。
當(dāng)KenRygler在詢問華爾街分析師時,不管EUV未來可能在1xnm時準備好,或者根本就上不去,在牛市還是熊市的座談會上EUV開始逐漸熱了起來。巴克萊的CJMuse表示,EUV的推遲可能是件好事,因為如檢測及光源功率等尚未到位,以及也可能有利于付蝕及工藝控制等進一步提高。然而Rygler對此搖頭,它表示目前還沒有一家說中間掩模(reticle)的檢查設(shè)備已準備好,這是人所共知的,CJMuse之后也告訴了SST。但是它認為EUV設(shè)備早晚會成功,尤其在DRAM制造中對于某些關(guān)鍵層的光刻應(yīng)用是有非常迫切的需求。
本站聲明: 本文章由作者或相關(guān)機構(gòu)授權(quán)發(fā)布,目的在于傳遞更多信息,并不代表本站贊同其觀點,本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者,如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益,請及時聯(lián)系本站刪除。
荷蘭光刻機巨頭阿斯麥(ASML)發(fā)布2022年第三季度業(yè)績。期內(nèi)凈銷售額58億歐元,同比增長10.24%;凈利潤17億歐元,同比下降2.24%。第三季度,ASML賣出了80臺全新的光刻系統(tǒng),以及6臺二手光刻系統(tǒng)。三季度新...
關(guān)鍵字:
ASML
光刻機
EUV
(全球TMT2022年10月18日訊)10月18日,三星宣布,其最新的LPDDR5X內(nèi)存已通過驗證,可在驍龍(Snapdragon?)移動平臺上使用,該內(nèi)存速度可達到當(dāng)前業(yè)界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps)。通過...
關(guān)鍵字:
DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫存壓力進一步升高。同時,各DRAM供應(yīng)...
關(guān)鍵字:
消費性
DRAM
智能手機
在桌面級處理器上,AMD多年來一直在多核上有優(yōu)勢,不過12代酷睿開始,Intel通過P、E核異構(gòu)實現(xiàn)了反超,13代酷睿做到了24核32線程,核心數(shù)已經(jīng)超過了銳龍7000的最大16核。在服務(wù)器處理器上,AMD優(yōu)勢更大,64...
關(guān)鍵字:
AMD
CPU
Intel
EUV
- 在驍龍(Snapdragon)移動平臺上,三星以8.5Gbps的運行速度完成了LPDDR5X DRAM的驗證,為LPDDR(移動端)內(nèi)存打開了新市場。 深圳2022年10月18日 /美通社/ -- 10月18日,三...
關(guān)鍵字:
DRAM
GBPS
三星
LPDDR5
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日三星在一年一度的技術(shù)日研討會上公布了未來的3大規(guī)劃方向,其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。
關(guān)鍵字:
存儲
三星
NAND
DRAM
據(jù)韓媒報道,在日前舉辦的行業(yè)活動上,IDC韓國副總裁Kim Su-gyeom預(yù)計,存儲半導(dǎo)體市場的下行周期將持續(xù)到2025年。Kim Su-gyeom表示,今年的市場需求較最初預(yù)期更為糟糕,預(yù)計來年三季度DRAM和NAN...
關(guān)鍵字:
SSD
DRAM
IDC
INSIGHT
與其他類型的半導(dǎo)體相比,存儲芯片的競爭廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲芯片更加商品化,對需求變化也就更加敏感。存儲芯片通常是第一個感受到需求變化并出現(xiàn)價格下跌的組件。
關(guān)鍵字:
存儲芯片
半導(dǎo)體
DRAM
據(jù)業(yè)內(nèi)消息,近日美國一家商業(yè)精密制造公司Zyvex表示制出了亞納米分辨率光刻系統(tǒng)ZyvexLitho1,這個系統(tǒng)沒有采用EUV光刻技術(shù),但是卻能產(chǎn)出只有0.7nm線寬的芯片,是目前最高制造精度。
關(guān)鍵字:
Zyvex
0.7nm
芯片
EBL
EUV
ASML
Sep. 22, 2022 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,在高通脹影響下,消費性產(chǎn)品需求疲軟,旺季不旺,第三季存儲器位元消耗與出貨量持續(xù)呈現(xiàn)季減,各終端買方因存儲器需求明顯下滑而延緩采購,導(dǎo)致供應(yīng)商庫...
關(guān)鍵字:
TrendForce集邦咨詢
DRAM
(全球TMT2022年9月22日訊)DRAM市場出現(xiàn)急劇下滑 研究機構(gòu)IC Insights日前表示,DRAM市場出現(xiàn)急劇下滑。6月份全球DRAM產(chǎn)品銷售額環(huán)比下滑36%,7月份再次環(huán)比下滑21%,較5月...
關(guān)鍵字:
DRAM
可持續(xù)發(fā)展
INSIGHT
手機
即日至9月11日 《FabriX》一系列展覽及設(shè)計講座分段舉行 一場嶄新互動虛擬時裝體驗:讓大家以AR濾鏡“穿戴上身”了解如何制作虛擬時裝 #PMQ #PMQhk #FabriX #FashionMeets...
關(guān)鍵字:
FAB
BSP
PS
數(shù)碼
Aug. 29, 2022 ---- 由于過去兩年疫情造成生活形態(tài)改變,遠程教育需求增長,電子產(chǎn)品銷售暢旺,帶動DRAM模組的出貨增長,據(jù)TrendForce集邦咨詢統(tǒng)計,2021年全球DRAM模組市場整體銷售額達181...
關(guān)鍵字:
TrendForce集邦咨詢
DRAM
8月20日消息,據(jù)國外媒體報道,在消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域業(yè)務(wù)廣泛的三星電子,在終端產(chǎn)品及關(guān)鍵零部件方面都實力強勁,他們也是當(dāng)前全球最大的存儲芯片制造商,在DRAM和NAND閃存市場的份額都遠高于其他廠商。
關(guān)鍵字:
三星
DRAM
面板
存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要分支,約占全球半導(dǎo)體市場的四分之一至三分之一。存儲器已經(jīng)形成主要由DRAM與Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。盡管存儲器產(chǎn)品品類眾多,但從產(chǎn)品營收貢獻的角度來看,DRAM和Flash(NAND、N...
關(guān)鍵字:
ReRAM
DRAM
NAND
JSR株式會社(JSR Corporation)今天宣布加速與SK hynix Inc.的合作開發(fā)進程,以便將JSR旗下公司Inpria的極紫外光刻(EUV)金屬氧化物抗蝕劑(MOR)應(yīng)用于制造先進的DRAM芯片。Inp...
關(guān)鍵字:
DRAM
金屬氧化物抗蝕劑
EUV
為了遏制中國的發(fā)展,美國近年來對華采取一系列的干預(yù)和打壓措施已經(jīng)屢見不鮮,在高新科技領(lǐng)域的技術(shù)封鎖/貿(mào)易封鎖更是美國的慣用伎倆,半導(dǎo)體就是這樣的一個領(lǐng)域。據(jù)近日報道,美國為了全面遏制中國的半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展,已經(jīng)向荷蘭政府施壓...
關(guān)鍵字:
ASML
光刻機
EUV
這些年,手機芯片成為領(lǐng)跑先進制程的代表,當(dāng)前,高通驍龍、聯(lián)發(fā)科天璣等均已進入4nm,年內(nèi)甚至有望迎來首顆3nm手機處理器。
關(guān)鍵字:
5nm
EUV
三星
臺積電
(全球TMT2022年6月9日訊)SK海力士宣布公司開始量產(chǎn)HBM3 -- 擁有當(dāng)前業(yè)界最佳性能的DRAM。HBM (High Bandwidth Memory,高帶寬存儲器):是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合...
關(guān)鍵字:
DRAM
英偉達
SK海力士
HB