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[導(dǎo)讀]未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的CJMuse認為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段,在4x,3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有),是黃金時刻,然后在芯片制造中其

未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的CJMuse認為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段,在4x,3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有),是黃金時刻,然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多,如兩次圖形曝光(在NAND,DRAM及l(fā)ogic中),高k金屬柵等。由此,在未來的2011-2012年,甚至更長一段時期內(nèi)必須要加大投資強度。(Citigroup的TimArcuri建議要有五年時間,它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法)。另一位會議發(fā)言者CreditSuisse的SatyaKumar補充認為,目前正處于由技術(shù)投資向fab產(chǎn)能投資過渡,它指出,器件的尺寸縮小已達3xnm及以下。Muse也同意此觀點認為產(chǎn)能擴充僅僅開始。

盡管EUV技術(shù)已逐漸映入人們的眼球中,然而另外一些光刻動向正引起業(yè)界關(guān)注。如KrF光刻機,近期它的突然訂單加多,表示新的產(chǎn)能擴充時代真的到來又一標志。2010年TSMC有30臺訂單,Samsung有15臺及intel有10臺。它們的供應(yīng)商ASML,Nikon正努力設(shè)法完成供貨計劃,Muse在報告中稱全球在2010年需要60臺。另外,據(jù)應(yīng)用材料公司(AMAT)的報告,全球從現(xiàn)在起有14個新建fab,將增加產(chǎn)能,DRAM>200K/WSPM;NAND>320K/WSPM;Logic/foundry>350K/WSPM。

對于任何一家公司在先進技術(shù)制造與開發(fā)方面都有極大的挑戰(zhàn),這一點是無疑的。所以GlobalFoundries的高級副總裁GreggBartlett在它的發(fā)言中,重申如IBM的公共平臺合作方式對于目前是十分必要的。即便Intel的AndyBryant在它的講話中也發(fā)起在IDM,學(xué)校與供應(yīng)商之間加強合作的呼聲。

合作不僅是器件制造商之間的事,GlobalFoundries的TomSonderman建議合作模式中還必須包括設(shè)備制造商,如自動化、plug-in集成、及標準化的方法等。

EUV光刻到了哪里?

正如CreditSuisse的Kumar所言,對于每一位帶SEMICON標牌的人,已不懷疑EUV會到來。但是也有擔(dān)心,如掩模檢查(尤其是圖形尺寸在波長端的檢查)及光源功率,ASML可能己給Gigaphoton下了訂單。另外,巴克萊的Muse認為在2010年下半年它的EUV3300設(shè)備的訂單己多達10臺以上。

有關(guān)EUV的消息不是來自供應(yīng)商,而是來自客戶。在7月14日的會上Globalfoundries的Bartlett透露它的公司將放棄EUV設(shè)備的試產(chǎn)過程,而盡快在它的紐約州Malta正在建設(shè)的Fab8中進入量產(chǎn)實驗,估計為2012的下半年,而真正達到很大量產(chǎn)可能在2015年。關(guān)于如浸入式及兩次圖形曝光技術(shù)可能用在2x節(jié)點應(yīng)用。它并說EUV可能被用在下一代,16nm中。己經(jīng)有60種以上在Dresden掩模車間生產(chǎn)的EUV掩模準備待用。

當(dāng)KenRygler在詢問華爾街分析師時,不管EUV未來可能在1xnm時準備好,或者根本就上不去,在牛市還是熊市的座談會上EUV開始逐漸熱了起來。巴克萊的CJMuse表示,EUV的推遲可能是件好事,因為如檢測及光源功率等尚未到位,以及也可能有利于付蝕及工藝控制等進一步提高。然而Rygler對此搖頭,它表示目前還沒有一家說中間掩模(reticle)的檢查設(shè)備已準備好,這是人所共知的,CJMuse之后也告訴了SST。但是它認為EUV設(shè)備早晚會成功,尤其在DRAM制造中對于某些關(guān)鍵層的光刻應(yīng)用是有非常迫切的需求。

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