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[導讀]封測臺廠持續(xù)布局3D IC。智慧型手機用CMOS影像感測元件,可率先采用3D IC技術,預估到2016年,整合應用處理器和記憶體的3DIC技術,有機會量產。 媒體日前報導記憶體大廠美光(Micron)為布局3D IC技術,計劃透過華亞

封測臺廠持續(xù)布局3D IC。智慧型手機CMOS影像感測元件,可率先采用3D IC技術,預估到2016年,整合應用處理器和記憶體的3DIC技術,有機會量產。

媒體日前報導記憶體大廠美光(Micron)為布局3D IC技術,計劃透過華亞科結合封測大廠日月光,在臺合資設立3D IC封測廠。盡管日月光否認合資傳聞,但半導體大廠和封測大廠布局3D IC的腳步,并未因此減緩。

隨著物聯網(IoT)和云端世界逐漸成熟,加上智慧型手機和平板電腦持續(xù)成長,內建晶片和記憶體更講究微型化、高效能和低功耗的系統(tǒng)整合設計,封裝技術也需因應相關趨勢,因此半導體產業(yè)鏈持續(xù)研發(fā)3D IC技術。

國外半導體大廠包括艾克爾(Amkor)、意法半導體(STM)、三星電子(Samsung)、美光(Micron)、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、IBM、英特爾(Intel)等,持續(xù)積極布局3D IC技術。

市場評估,3D IC技術會先在智慧型手機領域萌芽,包括整合邏輯IC和記憶體的手機應用處理器(application processor)、高階伺服器的繪圖處理器整合記憶體、或是手機相機鏡頭內的CMOS影像感測元件等,都將陸續(xù)采用3D IC技術。

CMOS影像感測元件有機會率先采用3D IC技術。工研院產經中心(IEK)產業(yè)分析師陳玲君表示,今年全球行動通訊大會(MWC)上、主要品牌大廠展示高階旗艦智慧型手機產品,其中照相鏡頭多數采用索尼(SONY)的背照式(BSI)CMOS影像感測元件,相關元件可帶動3D IC封裝。

整合邏輯IC和記憶體的應用處理器,應該會直接采用3D IC和矽穿孔(TSV)制程,以解決行動裝置記憶體頻寬、因應智慧型手機應用處理器效能提高的問題。

3D IC技術也可改善記憶體產品的性能表現與可靠度,并降低成本與縮小產品尺寸。

陳玲君預估,整合應用處理器和記憶體的3D IC技術,有機會在2016年開始量產。

臺廠包括臺積電、日月光、矽品、力成等,也持續(xù)布局3D IC。

陳玲君指出,力成湖口新廠,設立3D IC研發(fā)中心,鎖定CMOS影像感測元件(CIS)應用。矽品開發(fā)的3D IC技術,將應用在邏輯IC產品。

觀察臺廠布局3D IC進展,產業(yè)人士認為,3D IC主導權還是會在晶圓代工廠臺積電,因為3D IC矽穿孔技術,牽涉到晶圓前端制程。不過晶圓代工廠不會全吃3DIC,封測廠切入3D IC領域,與晶圓代工廠是上下游合作的關系。

3D IC應用若需進一步成熟,仍有不少面向尚待克服,包括記憶體堆疊、設計生態(tài)系統(tǒng)、生產良率、測試方法、散熱解決方案、以及關鍵的降低BOM表(Bill of Material)成本等因素。

從產業(yè)鏈來看,半導體晶圓代工、專業(yè)封裝測試代工(OSAT)、模組生產測試到系統(tǒng)組裝,前后生產鏈之間已經相互重疊,研發(fā)3D IC,產業(yè)鏈勢必要彼此合作共生

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