為因應晶片封裝的制程技術演進，工研院開發(fā)出國內(nèi)首套采3D成像的「IC封裝形貌檢測模組」，藉此克服傳統(tǒng)2D取像無法判別載板上錫球落差的檢測死角。工研院指出，該平臺精度達到5微米等級解析度，未來可應用在半導體先進封裝制程的檢測，協(xié)助測試設備廠商提升檢測設備精度、進而強化我國半導體產(chǎn)業(yè)的競爭力。

隨著電子產(chǎn)品朝輕薄短小、功能好、速度快的發(fā)展，內(nèi)部的IC元件功能越來越精密，后段IC封裝的檢測技術也越具挑戰(zhàn)與重要性。工研院量測中心段家瑞主任表示，IC封裝檢測市場每年約有新臺幣4000億元商機，隨著IC內(nèi)部元件越趨微小精密，半導體產(chǎn)業(yè)對于量測精密度的要求也越為提高。

在此同時，國內(nèi)廠商雖擁有自動化整合技術與在地服務的優(yōu)勢，但是最關鍵零組件檢測模組都來自國外，不僅價格昂貴、也無法客制化調整或提升檢測正確率，故難以取得國際競爭優(yōu)勢。

為促進國內(nèi)自動化光學檢測發(fā)展，工研院成功開發(fā)出國內(nèi)首套結合2D與3D檢測技術的「IC封裝形貌檢測模組」，可同時進行高精度的2D缺陷檢測與3D形貌量測，提供業(yè)者更精確、多元、快速且在地化的測試支援服務，開發(fā)成果也在今年的SEMICON Taiwan 2013(臺灣半導體展)首次登場。

目前大部分的廠商仍以2D取像檢測方式為IC 封裝產(chǎn)品把關，但僅以平面影像做為檢驗判讀，無法量測采BGA(球閘陣列)封裝體底部的錫球表面缺陷、更無法檢出IC封裝本體的翹曲，加上現(xiàn)今IC晶圓開始導入雷射矽鉆孔(via)制程，在檢測精微度上更具挑戰(zhàn)。

工研院指出，最新開發(fā)的3D成像檢測模組，可透過2D平面檢測找出破裂、異常連結、異物、缺件等異常，同時利用多相位投影解像技術，透過投光散斑造成的陰影斷面來計算錫球排面的高低落差，檢測出傳統(tǒng)2D檢測時容易被忽略的立體高差與曲面變型瑕疵，可用于多種材質檢測，協(xié)助廠商達到精確、快速、低成本檢測的目標。