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[導(dǎo)讀]III-V族半導(dǎo)體磊晶廠F-IET(4971,英特磊)董事長(zhǎng)康潤(rùn)生指出,III-V族半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在快速整合,2013年幾樁海外大廠的合并案證實(shí)此一趨勢(shì)加速發(fā)生,F(xiàn)-IET也選擇和法國(guó)大廠Soitec結(jié)盟,進(jìn)一步取得更高的產(chǎn)能和先進(jìn)技術(shù),尤

III-V族半導(dǎo)體磊晶廠F-IET(4971,英特磊)董事長(zhǎng)康潤(rùn)生指出,III-V族半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在快速整合,2013年幾樁海外大廠的合并案證實(shí)此一趨勢(shì)加速發(fā)生,F(xiàn)-IET也選擇和法國(guó)大廠Soitec結(jié)盟,進(jìn)一步取得更高的產(chǎn)能和先進(jìn)技術(shù),尤其有利于F-IET未來(lái)轉(zhuǎn)進(jìn)高聚光型太陽(yáng)能(HCPV)市場(chǎng),占據(jù)更佳的競(jìng)爭(zhēng)利基。

F-IET董事長(zhǎng)康潤(rùn)生表示,去年間IQE買(mǎi)下Kpoin磊晶產(chǎn)線(xiàn)、RFMD和TriQuint合并案,都證明III-V族半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正加速整合腳步,市況更趨穩(wěn)定,F(xiàn)-IET看好今年市況將優(yōu)于去年,亦決議攜手法國(guó)Soitec,藉著引進(jìn)更高產(chǎn)能和技術(shù),取得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

康潤(rùn)生說(shuō)明,RFMD和TriQuint合并,短期內(nèi)看不到明顯的影響,因?yàn)楣疽呀?jīng)是TriQuint認(rèn)證廠商,就算TriQuint有供應(yīng)商規(guī)則的改變,也需要費(fèi)時(shí)的認(rèn)證流程,且F-IET在業(yè)界供應(yīng)鏈里頭具有穩(wěn)固地位,客戶(hù)產(chǎn)品線(xiàn)的掌握上,算是可攻可守,并不會(huì)有明顯的影響。

同時(shí),F(xiàn)-IET也藉由和法國(guó)Soitec的合作,取得先進(jìn)技術(shù)與產(chǎn)能,有利于未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),康潤(rùn)生指出,Soitec既有客戶(hù)以工業(yè)應(yīng)用為主,這塊領(lǐng)域是F-IET非常想要著墨的,和公司在美國(guó)、日本的客戶(hù)群是非常不一樣,有龐大的互補(bǔ)空間。

另一方面,III-V族材料在聚光型的太陽(yáng)能應(yīng)用非常廣泛,Soitec在該領(lǐng)域著墨甚深,未來(lái)成長(zhǎng)空間看俏,康潤(rùn)生看好HCPV聚光型III-V材料在未來(lái)3-5年內(nèi)將有成長(zhǎng)空間爆發(fā),且Soitec也是用MBE(分子束磊晶)設(shè)備,和F-IET一樣,雙方將可藉由技術(shù)合作,提升MBE用于HCPV磊晶生產(chǎn)的效益,進(jìn)一步加速跨足HCPV市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。

而就F-IET自家產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃來(lái)看,康潤(rùn)生指出,F(xiàn)-IET在美國(guó)、中國(guó)共擁有三座生產(chǎn)基地,去年不僅完成天津廠區(qū)的設(shè)置,位于美國(guó)德州Richardson的廠區(qū)今年則要進(jìn)一步實(shí)施擴(kuò)產(chǎn),整體生產(chǎn)力的設(shè)定將持續(xù)擴(kuò)張。

F-IET去年?duì)I收為5.7億元,年增2.2%,毛利率為42.1%、營(yíng)益率18.7%,毛利率與營(yíng)益率較前年的42.5%、21.7%下滑;累計(jì)2013年全年,F(xiàn)-IET稅后盈余為1.05億元,年減10.3%,EPS為3.81元。



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