聯(lián)電(2303)推出具備競(jìng)爭(zhēng)力的SRAM 80納米SDDI晶圓專工制程，此技術(shù)將賦予次世代智能型手機(jī)屏幕高畫(huà)質(zhì)優(yōu)勢(shì)。此制程現(xiàn)已準(zhǔn)備量產(chǎn)，并與數(shù)家主要客戶針對(duì)HD720/WXGA畫(huà)質(zhì)的智能型手機(jī)產(chǎn)品合作中。
聯(lián)電宣布，推出新一代80納米小尺寸屏幕驅(qū)動(dòng)芯片(SDDI)制程，此制程特色在于具備了晶圓專工業(yè)界最富競(jìng)爭(zhēng)力的SRAM儲(chǔ)存單元。此低耗電的尖端SRAM解決方案采用了先進(jìn)的設(shè)計(jì)規(guī)則，以縮小儲(chǔ)存單元尺寸到0.714平方微米，將比現(xiàn)有80納米SDDI制程中使用的一般0.81平方微米更加微縮，使智能型手機(jī)得以更小芯片尺寸實(shí)現(xiàn)HD720/WXGA高畫(huà)質(zhì)。

聯(lián)電12寸特殊技術(shù)開(kāi)發(fā)處資深處長(zhǎng)許堯凱表示，隨著現(xiàn)在智能型手機(jī)的快速興起，聯(lián)電在特殊技術(shù)開(kāi)發(fā)上位居領(lǐng)先地位，使客戶推動(dòng)功能更強(qiáng)的產(chǎn)品問(wèn)世。聯(lián)電現(xiàn)有的80納米與即將推出的55納米SDDI制程，可協(xié)助客戶推出耗電更低且畫(huà)質(zhì)更高的尖端智能型手機(jī)屏幕驅(qū)動(dòng)芯片。
聯(lián)電已于0.13微米制程平臺(tái)出貨逾3億顆SDDI芯片，運(yùn)用于WVGA與qHD畫(huà)質(zhì)的主流智能型手機(jī)。除了0.13微米與80納米SDDI制程技術(shù)之外，聯(lián)電也針對(duì)配備Full-HD屏幕的次世代智能型手機(jī)，推出業(yè)界第一個(gè)55納米SDDI制程，將于本季開(kāi)放接受客戶SDDI芯片設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)使用。