全球最大半導(dǎo)體設(shè)備廠應(yīng)用材料昨（7）日宣布推出關(guān)鍵性離子植入技術(shù)，能幫助未來的晶片進(jìn)行微縮。新的Applied Varian VIISta Trident系統(tǒng)，可提供精確的植入劑量和角度控制，滿足先進(jìn)電晶體結(jié)構(gòu)的需求，已是主要晶圓代工廠中進(jìn)入20奈米制程的首選工具。
應(yīng)用材料推出新的Applied Varian VIISta Trident系統(tǒng)，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最先進(jìn)的單晶片式高電流離子植入系統(tǒng)。應(yīng)材指出，在嵌入「摻雜物」原子的晶片電性工程中，該新系統(tǒng)是唯一被驗(yàn)證具有能力達(dá)成20奈米高效與節(jié)能邏輯晶片制程量產(chǎn)所需良率的高電流離子植入機(jī)。
在20奈米制程世代中，如何將摻雜原子活化，并抑制延伸層、源極/汲極層、和接觸層中的晶格瑕疵（crystal defects），已成為在高效能電晶體尺寸微小化過程中的重大挑戰(zhàn)。新系統(tǒng)的獨(dú)特功能，對于如何精確控制摻雜原子的濃度和縱深分布，以達(dá)成先進(jìn)元件的高效能、控制漏電流、減少功能變異性等要求，具有關(guān)鍵性的影響。
應(yīng)用材料副總裁暨瓦里安事業(yè)部總經(jīng)理鮑勃．哈里戴（Bob Halliday）表示，典型的先進(jìn)邏輯晶片需要多達(dá)60道的植入步驟，這包括共同植入技術(shù)與高精密度材質(zhì)調(diào)整的應(yīng)用，VIISta Trident系統(tǒng)所具備的高精準(zhǔn)度技術(shù)，對于客戶是否能在最先進(jìn)的產(chǎn)品制程上快速達(dá)到可以獲利的良率水準(zhǔn)來說，是一項(xiàng)不可或缺的要素。VIISta Trident系統(tǒng)效能表現(xiàn)優(yōu)異的關(guān)鍵，是來自于為增強(qiáng)低能量離子植入效能所設(shè)計(jì)的雙磁鐵偏轉(zhuǎn)帶狀離子光束的專利架構(gòu)。此系統(tǒng)的能量純化模組，可完全消除具破壞性的高能量離子物質(zhì)。