臺積電與日本IDM廠瑞薩電子（Renesas）昨（28）日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署協(xié)議，擴大在微控制器（MCU）技術(shù)方面的合作至40奈米嵌入式快閃記憶體（eFlash ）制程，以生產(chǎn)應(yīng)用于下一世代汽車以及家電等消費性產(chǎn)品的微控制器。
至于瑞薩是否出售鶴岡12吋廠予臺積電，雙方仍不予評論。而瑞薩對于外傳可能進行超過1萬名員工大規(guī)模裁員消息，則表示組織改革是必須進行的事，但目前為止并無決定任何具體計畫。
瑞薩是在去年底與臺積電達成90奈米合作協(xié)議，瑞薩將采用臺積電90奈米嵌入式快閃記憶體制程生產(chǎn)微控制器，此次則延伸合作內(nèi)容，未來瑞薩將委托臺積電生產(chǎn)40奈米微控制器，至于28奈米制程則列為未來的合作方向。
此外，瑞薩及臺積電也決定建立MCU平臺與制造所需的先進技術(shù)，結(jié)合瑞薩電子支援高可靠性以及高速優(yōu)勢的金屬氧化氮氧化矽（MONOS）制程技術(shù)，以及臺積電先進的互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制程及靈活的產(chǎn)能調(diào)度，未來臺積電除了替瑞薩代工，也將可利用授權(quán)方式，提供MONOS制程平臺給其它IC設(shè)計廠或IDM廠使用。
瑞薩去年底成功開發(fā)的40奈米MCU晶片，已經(jīng)在瑞薩那珂12吋廠中試產(chǎn)，目前制程尚未與臺積電CMOS制程整合，不過，在雙方達成合作協(xié)議后，瑞薩及臺積電將開始進行制程整合，未來瑞薩MCU晶片除了在自有晶圓廠生產(chǎn)，也將委由臺積電在竹科12吋廠Fab12中生產(chǎn)。
瑞薩MCU事業(yè)本部長巖元伸一表示，根據(jù)去年歷經(jīng)日本大地震沖擊多條生產(chǎn)線與客戶業(yè)務(wù)之后所學(xué)習(xí)到的經(jīng)驗，瑞薩已經(jīng)加快晶圓廠網(wǎng)路（Fab Network）的布建，成為公司營運持續(xù)計畫（BCP）之中的一環(huán)。
而藉由此次的合作，雙方也有共識，將建造一個能夠為客戶穩(wěn)定供貨的架構(gòu)，瑞薩身為微控制器市場的領(lǐng)導(dǎo)廠商，亦將推動市場成長，為MCU打造一個設(shè)計生態(tài)環(huán)境。
根據(jù)瑞薩以及臺積電間的協(xié)議，采用90奈米嵌入式快閃記憶體制程MCU將在明年量產(chǎn)，40奈米MCU在2014年量產(chǎn)，而瑞薩總產(chǎn)能的委外代工比重，也將由去年的15％，至2016年增加一倍至30％。