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[導(dǎo)讀]經(jīng)過長時間的等待之后,鐵電體內(nèi)存(FRAM)廠商Ramtron公司終于宣布其委托IBM代工的首批樣品驗證用FRAM芯片已經(jīng)制作測試完成,開始進(jìn)入樣件送樣/客戶驗證階段。 資料:Ramtron的鐵電體產(chǎn)品存儲單元結(jié)構(gòu)

經(jīng)過長時間的等待之后,鐵電體內(nèi)存(FRAM)廠商Ramtron公司終于宣布其委托IBM代工的首批樣品驗證用FRAM芯片已經(jīng)制作測試完成,開始進(jìn)入樣件送樣/客戶驗證階段。





資料:Ramtron的鐵電體產(chǎn)品存儲單元結(jié)構(gòu)

2009年,Ramtron與IBM公司達(dá)成代工FRAM芯片的協(xié)議,按照雙方原來的計劃,準(zhǔn)備在2010年使用IBM的0.18微米制程制作出首批FRAM樣品芯片。然而,IBM公司在后來的研發(fā)制造過程中遇到許多問題,無法成功提升這款產(chǎn)品的產(chǎn)量,導(dǎo)致了這項計劃的延遲。

上個月,Ramtron公司CEO Eric Balzer承認(rèn)公司的FRAM客戶已經(jīng)對這次延遲感到不滿,不過他表示這些客戶中的大多數(shù)并不會棄Ramtron而去,同時他還表示Ramtron本身今年一季度的銷售業(yè)績也因此而受損嚴(yán)重。

現(xiàn)在他們終于渡過了最困難的時期。本周三,Balzer在一份公司聲明中說:“發(fā)布FM24C04C和FM24C16C兩款FRAM芯片樣品對我們的新代工項目有里程碑式的意義。 ”

據(jù)Ramtron公司表示,F(xiàn)M24C04C和FM24C16C兩款FRAM均屬同一系列產(chǎn)品,產(chǎn)品采用串行I2C接口,IO電壓5V,F(xiàn)RAM的位密度則分別為4kbit和16kbit??蔀殡娮釉O(shè)備提供高性能的非易失性數(shù)據(jù)存儲解決方案,公司還稱其FRAM產(chǎn)品在寫入時間,讀寫周期耐久性和省電性能方面相比其它的產(chǎn)品更勝一籌。

Ramtron公司CEO Balzer說:“這次送樣的預(yù)驗證用產(chǎn)品可以滿足我們制定的性能指標(biāo)要求,并符合守我們嚴(yán)格質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)的要求,現(xiàn)在這批樣品已經(jīng)可以交付客戶做產(chǎn)品驗證用途。更多的FRAM產(chǎn)品,如3V電壓,I2C接口的產(chǎn)品以及5V電壓,SPI接口的產(chǎn)品則很快會在我們完成內(nèi)部測試之后對外交付驗證用樣品?!盉alzer是在今年一月份頂替辭職的前任Bill Staunton出任公司CEO的。

FM24C04C和FM24C16C采用的是串行I2C總線接口界面,工作電流100uA(在100kHz總線工作頻率下),總線接口運(yùn)行頻率最高可達(dá)1MHz。這兩款產(chǎn)品將直接替代公司現(xiàn)有的4kbit/16kbit密度串行接口EEPROM存儲芯片,被應(yīng)用到工控,測量設(shè)備,醫(yī)療,軍用,計算機(jī),游戲機(jī)等應(yīng)用場合。

FM24C04C和FM24C16C采用標(biāo)準(zhǔn)的8針SOIC封裝形式,工作溫度-40°C至+85°C,另外,Ramtron公司還宣稱FM24CxxC系列產(chǎn)品的單字節(jié)寫入時間可比EEPPROM產(chǎn)品快200倍左右。

2009年IBM與Ramtron達(dá)成代工協(xié)議后,IBM在其位于Burlington的芯片廠中采用Ramtron開發(fā)的制程技術(shù)為其代工FRAM產(chǎn)品。除了IBM之外,Ramtron還與德州儀器,日本富士通兩家公司也簽署了代工FRAM的合約,不過后來日本富士通由于種種原因已經(jīng)被Ramtron開除出列。

CNBeta編譯

原文:eetimes



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