[導讀]英特爾MPU晶體管的發(fā)展軌跡。數(shù)據(jù)由英特爾提供。(點擊放大)
Tri-Gate實現(xiàn)量產(chǎn)的軌跡。數(shù)據(jù)由英特爾提供。(點擊放大)
美國英特爾公司宣布,將從22nm工藝開始量產(chǎn)采用三維晶體管“Tri-Gate(三柵極)”的MPU
英特爾MPU晶體管的發(fā)展軌跡。數(shù)據(jù)由英特爾提供。(點擊放大)
Tri-Gate實現(xiàn)量產(chǎn)的軌跡。數(shù)據(jù)由英特爾提供。(點擊放大)
美國英特爾公司宣布,將從22nm工藝開始量產(chǎn)采用三維晶體管“Tri-Gate(三柵極)”的MPU(英文發(fā)布資料)。采用Tri-Gate的首款量產(chǎn)芯片,是開發(fā)代碼為“Ivy Bridge”的Core系列MPU。
英特爾從2002年召開的學會開始,迄今已在多種場合發(fā)布了Tri-Gate。此前基本上都屬于技術發(fā)布,而此次則首次透露將在量產(chǎn)芯片中采用Tri-Gate。Ivy Bridge預定在2011年內開始量產(chǎn)。
據(jù)英特爾的發(fā)布資料顯示,與32nm的平面晶體管相比,22nm Tri-Gate的速度要快37%。當性能與32nm平面晶體管相同時,22nm Tri-Gate的功耗只有一半。據(jù)英特爾介紹,不僅是面向臺式電腦、筆記本電腦以及服務器等的MPU,Tri-Gate還適用于上網(wǎng)本、平板電腦以及嵌入設備的專用MPU“Atom(凌動)”。(記者:小島 郁太郎)
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