[導讀]國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)預估，臺灣2011年半導體投資可望接續(xù)今年屢破紀錄的氣勢，在先進制程開發(fā)的帶領下，明年晶圓廠建置和技術(shù)研發(fā)投資金額上看70億美元，將連帶拉升晶圓產(chǎn)能。2011年因封測廠下修資本
國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)預估，臺灣2011年半導體投資可望接續(xù)今年屢破紀錄的氣勢，在先進制程開發(fā)的帶領下，明年晶圓廠建置和技術(shù)研發(fā)投資金額上看70億美元，將連帶拉升晶圓產(chǎn)能。2011年因封測廠下修資本支出，半導體設備投資金額將下降10%，不過今年仍可望突破100億美元。
圖為臺積電12寸晶圓產(chǎn)線。
SEMI Taiwan產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆表示，在28奈米(nm)制程開發(fā)成熟、新產(chǎn)能建置和新技術(shù)的驅(qū)動下，臺灣2010年晶圓廠投資成長率可望突破 120%，2011年投資金額更有機會從60億美元躍至70億美元，進而促使臺灣地區(qū)晶圓產(chǎn)能超越全球半導體產(chǎn)業(yè)平均水準。
SEMI預估，臺灣晶圓廠投資金額將連續(xù)3年維持全球占比約42%，雖然臺積電、聯(lián)電今年積極投資，但因其他大廠也動作頻頻，包括全球晶圓 (GlobalFoundries)于德國、新加坡、美國新廠投資踴躍；三星(Samsung)在韓國、美國積極布建；中芯在中國大陸建廠等，因此，各地晶圓廠的投資比重情形無顯著消長。
另外，2010年全球產(chǎn)值預計達325億美元的半導體設備市場，也是臺灣表現(xiàn)亮眼的類別。曾瑞榆表示，今年受先進制程和三維(3D)封裝技術(shù)成長的影響下，日月光、矽品等后段封測廠投資屢創(chuàng)新高，2010年臺灣整體半導體設備投資金額預計將超越100億美元的水準。
曾瑞榆指出，雖然進入2011年之后，臺灣面臨地區(qū)性轉(zhuǎn)移和封測廠下修資本支出的影響，半導體設備投資恐將滑落10%，但臺灣仍穩(wěn)居全球半導體設備最大的消費國。預估全球未來兩年內(nèi)，廠房建置的數(shù)量將逐漸減少，2013～2015年可能面臨產(chǎn)能不足的危機，卻也蘊藏強勁的反彈力道。
值得注意的是，SEMI預估2011年全球在發(fā)光二極體(LED)廠的投資可望從22.5億美元提升至27億美元，其中，臺灣投資預計可達8.3億美元，并以30%的市占率成為全球最大的LED投資國。
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