三星與IBM相繼發(fā)布200GHz以上截止頻率的石墨烯FET
[導讀]在“IEDM 2010”開幕當天舉行的研討會上，韓國三星尖端技術(shù)研究所（SAIT）與美國IBM相繼發(fā)布了截止頻率突破200GHz的石墨烯FET。兩公司均計劃將其應用于高頻RF元件。
SAIT總裁Kinam Kim上午發(fā)表了主題演講，介紹了
在“IEDM 2010”開幕當天舉行的研討會上，韓國三星尖端技術(shù)研究所（SAIT）與美國IBM相繼發(fā)布了截止頻率突破200GHz的石墨烯FET。兩公司均計劃將其應用于高頻RF元件。
SAIT總裁Kinam Kim上午發(fā)表了主題演講，介紹了該研究所的石墨烯FET最新開發(fā)成果（演講序號1.1）。Kim表示，該研究所使用直徑150mm的硅基板制作了柵長180nm的石墨烯FET，并驗證能以202GHz的截止頻率工作。石墨烯的成膜采用了半導體制造技術(shù)，以及親和性較高的電漿輔助方式低溫CVD法，成膜溫度為650℃。Kim稱，已經(jīng)確立了采用該方法使單層石墨烯均勻成膜的技術(shù)。載流子遷移率達到了1萬3000cm2/Vs。
關(guān)于石墨烯FET，Kim在演講中表示，“作為高速高頻信號處理元件，配備了較高的電位，還可與Si-CMOS電路融合。今后估計還可能在與硅元件相同的基板上一同集成石墨烯FET以及自旋電子學元件等”。另外，SAIT將在此次的IEDM上發(fā)布Kim介紹的成果詳情（演講序號：23.5）。
IBM發(fā)布了與美國麻省理工學院（MIT）的共同研究成果（演講序號：9.6）。二者共同研究出了在SiC基板上形成的柵長240nm石墨烯FET，并驗證其截止頻率為230GHz。石墨烯通過熱處理SiC基板而成膜。研究小組還制作出了柵長100nm以下的石墨烯FET，柵長90nm的元件截止頻率為170GHz。據(jù)IBM介紹，截止頻率比柵長240nm的元件低是因為，目前仍無法確立尺寸較短的柵極電極的自調(diào)整形成工藝，以及無法利用柵極電極控制的電場通道占到了柵長的一半。如果能夠克服這些問題，柵長90nm的元件“截止頻率可提高至300G～400GHz”（IBM的發(fā)布人Y.Q.Wu）。 （記者：大下 淳一）
IBM與MIT共同開發(fā)的石墨烯FET的特性。演講中介紹截止頻率最高為230GHz。（點擊放大）
SAIT總裁Kinam Kim上午發(fā)表了主題演講，介紹了該研究所的石墨烯FET最新開發(fā)成果（演講序號1.1）。Kim表示，該研究所使用直徑150mm的硅基板制作了柵長180nm的石墨烯FET，并驗證能以202GHz的截止頻率工作。石墨烯的成膜采用了半導體制造技術(shù)，以及親和性較高的電漿輔助方式低溫CVD法，成膜溫度為650℃。Kim稱，已經(jīng)確立了采用該方法使單層石墨烯均勻成膜的技術(shù)。載流子遷移率達到了1萬3000cm2/Vs。
關(guān)于石墨烯FET，Kim在演講中表示，“作為高速高頻信號處理元件，配備了較高的電位，還可與Si-CMOS電路融合。今后估計還可能在與硅元件相同的基板上一同集成石墨烯FET以及自旋電子學元件等”。另外，SAIT將在此次的IEDM上發(fā)布Kim介紹的成果詳情（演講序號：23.5）。
IBM發(fā)布了與美國麻省理工學院（MIT）的共同研究成果（演講序號：9.6）。二者共同研究出了在SiC基板上形成的柵長240nm石墨烯FET，并驗證其截止頻率為230GHz。石墨烯通過熱處理SiC基板而成膜。研究小組還制作出了柵長100nm以下的石墨烯FET，柵長90nm的元件截止頻率為170GHz。據(jù)IBM介紹，截止頻率比柵長240nm的元件低是因為，目前仍無法確立尺寸較短的柵極電極的自調(diào)整形成工藝，以及無法利用柵極電極控制的電場通道占到了柵長的一半。如果能夠克服這些問題，柵長90nm的元件“截止頻率可提高至300G～400GHz”（IBM的發(fā)布人Y.Q.Wu）。 （記者：大下 淳一）
IBM與MIT共同開發(fā)的石墨烯FET的特性。演講中介紹截止頻率最高為230GHz。（點擊放大）
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