[導讀]日前召開的ARM技術大會上,三星電子傳出消息,計劃大力推動高-K介質(zhì)的32nm制程。
今年6月,韓國三星表示自己的代工廠已經(jīng)可以使用高-K/金屬柵極技術,滿足制造32nm低功耗制程的要求。三星即將成為首家符合高-k/金
日前召開的ARM技術大會上,三星電子傳出消息,計劃大力推動高-K介質(zhì)的32nm制程。
今年6月,韓國三星表示自己的代工廠已經(jīng)可以使用高-K/金屬柵極技術,滿足制造32nm低功耗制程的要求。三星即將成為首家符合高-k/金屬柵極技術的代工廠。
據(jù)三星半導體公司代工業(yè)務部設計實現(xiàn)總裁Kuang-Kuo Lin透露,現(xiàn)在“制程和設計”都已就緒。
他還告訴《電子工程專輯》美國版和ARM技術大會,表示“就代工廠的高-k/金屬柵極而言,我們走在前列?!?br>
三星也是IBM公司晶圓俱樂部的成員。據(jù)報道,該俱樂部在高-k技術研發(fā)方面正面臨困難。在簡短采訪中,Lin否認了這一報道,他說三星目前在高-k方面的努力“進展不錯”。
Lin說,實際上三星對該工藝制程“興趣很大”,代工客戶包括蘋果、高通和賽靈思。
路線圖的下一步是28nm制程。目前,Global Foundries和三星都將在2011年第一季度進入“可量產(chǎn)”階段。
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