路透10月29日電---日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)指出,晶片大廠英特爾(INTC.O: 行情)、東芝(6502.T: 行情)及三星電子(005930.KS: 行情)將攜手發(fā)展納米技術(shù),可能在2016年前將半導(dǎo)體線寬縮減逾半至接近10納米.

日經(jīng)報(bào)導(dǎo)稱,全球第一大NAND型記憶體廠商三星電子和排名第二大的東芝,加上全球最大晶片廠商英特爾,有意在不久後合組一集團(tuán),并廣邀約10家半導(dǎo)體材料和相關(guān)領(lǐng)域的公司共襄盛舉.

報(bào)導(dǎo)并稱,初步的研發(fā)資金約為100億日圓,日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省可能會(huì)提供約50億日圓(6,121萬美元),其馀資金則由集團(tuán)成員出資.

日經(jīng)指出,東芝和三星計(jì)劃運(yùn)用該技術(shù)來生產(chǎn)10納米制程的NAND閃存記憶體等晶片;英特爾則可能用來發(fā)展更快速的微處理器.(完)