為提高在亞洲的晶圓代工市占率，并與主要對手臺積電一較長短，全球晶圓（Global Foundries；GF）的亞洲巡回論壇，今日于新竹盛大舉辦。會中全球晶圓營運長謝松輝表示，GF正快步邁進28/20奈米階段，目前在美國紐約投資興建的Fab 8晶圓廠，便以28/20奈米制程為主，預計在2012年將可進入量產(chǎn)階段，屆時每月產(chǎn)能可達到6萬片。


謝松輝并透露，意法半導體（STM）已經(jīng)確定在28奈米制程的芯片產(chǎn)品上與全球晶圓合作，預計今年底，在High-k金屬閘極技術有所進展之下，28奈米制程應用將會有更進一步的突破。除了意法之外，IBM和Samsung參與其中的Common Platform聯(lián)盟，也會與全球晶圓在28奈米制程密切合作。全球晶圓亞太區(qū)與日本銷售副總裁鄭伯銘更進一步表示，全球晶圓與IBM也已完成簽約，將合作代工22奈米微處理器產(chǎn)品。

除此之外，ARM的雙核Cortex-A9處理器也采用全球晶圓的28奈米 HP和High-k金屬閘極技術，主要制程是在德國的Fab1晶圓廠。在與ARM的合作計劃上，謝松輝指出主要的兩大方向，其一是擴大測試芯片IP的組合方案，開發(fā)各項可能性的技術合作，其二則是ARM處理架構的合作，以列出函式庫和內存處理為核心。

同時由于新制程有所突破，AMD的CPU/GPU Combo芯片也會和GF晶圓代工密切合作。在設計服務部份，全球晶圓主要持股掌握虹晶科技（Socle Technology）之后，也進一步取得在消費電子多媒體芯片和模擬芯片設計的關鍵智財權。

謝松輝指出，預計到2012年，全球晶圓的資本支出水位應該還是會維持在25～27億美元左右，設備投資部份將占較大比重。不過資本支出維持高水位，并不代表產(chǎn)能就會立即明顯成長，今年第4季到明年第1季的產(chǎn)能，應該還是會經(jīng)歷季節(jié)性調整的起伏。至于在美元相對居貶、亞洲貨幣不斷升值的情況下，全球晶圓的外匯避險機制、以及分散于新加坡、德國Dresden和美國紐約的晶圓廠布局，可讓匯率變動所造成的風險降到最低。

對于今年全球半導體制程的景氣預估，謝松輝是相對審慎樂觀的，包括無線基頻芯片以及機頂盒和數(shù)字電視等消費電子的高速成長，有效地抵銷了在PC和顯示領域芯片動能不足的負面影響，應該可以維持在4～5％甚至期待5％以上的成長率。

在 28/20奈米先進制程技術部份，GF則是看好波長13.4nm的次世代超短紫外光（Extreme Ultraviolet；EUV）晶圓光罩制程和High-k金屬閘極技術。全球晶圓企業(yè)計劃管理部門副總裁Nick Kepler指出，浸潤式微影技術（immersion lithography）雖然也可應用在20奈米制程，但是會遇到更為復雜的技術挑戰(zhàn)和成本問題，例如雙重曝光成像（double patterning）提高顯影分辨率時，EUV就較能符合需求。

重要的是，EUV光罩制程成熟化后，成本可大幅降低，并且可以有效量產(chǎn)，Nick Kepler進一步認為，進入到20奈米制程以下，EUV甚至有可能是唯一可符合微影制程需求的光罩技術選項。至于High-k金屬閘極技術，則可以隨著微型化的制程節(jié)點，擴大閘極長度，不僅能降低等效氧化層（Equivalent Oxide Thickness；EOT）厚度，并且繼續(xù)提升效能。

值得注意的是，全球晶圓這次也公開宣示進一步擴展微機電MEMS制程的決心，包括加速度計、陀螺儀、射頻MEMS等產(chǎn)品，都是全球晶圓切入的重點，GF也將積極強攻車用MEMS領域。鄭伯銘指出，以往全球晶圓在MEMS制程，主要是接受IDM廠委外代工為主，現(xiàn)在將朝向輕晶圓廠（Fab-lite）的合作模式發(fā)展，越來越多的無晶圓廠MEMS廠商，也將出現(xiàn)在全球MEMS市場，而8吋MEMS晶圓將成為主流。今年底前，全球晶圓將完成MEMS制程的基礎建設，預計在明年中之后開始量產(chǎn)。