IBM晶圓廠聯(lián)盟否認(rèn)遭遇高介電/金屬柵極制程問題
根據(jù)Barclays Bank分析師Andrew Lu的一篇報(bào)告指出，由于可減少柵極漏電流，高介電/金屬柵極技術(shù)能降低晶體管的待機(jī)耗電，不過現(xiàn)在該領(lǐng)域出現(xiàn)了該采用“前柵極(gate-first)”或“后柵極(gate-last)”的爭(zhēng)議；所謂的前或后，指的是金屬柵極是在半導(dǎo)體制程中的高溫活化退火程序(high-temperature activation anneals)之前或之后，沉積到晶圓片上。
包括英特爾(Intel)、臺(tái)積電(TSMC)等廠商是后柵極技術(shù)的支持者；其中英特爾是從45納米節(jié)點(diǎn)開始生產(chǎn)高介電制程處理器，迄今已經(jīng)推出兩代高介電制程產(chǎn)品。而IBM的晶圓廠聯(lián)盟則是采用前柵極技術(shù)，但到目前為止，該聯(lián)盟成員都尚未量產(chǎn)高介電制程芯片；采用IBM制程的AMD可望在2011推出第一代高介電處理器。
“具我們了解，前柵極技術(shù)支持者(包括Sematech以及IBM、Infineon、NEC、Globalfoundries、Samsung、ST與Toshiba)都面臨包括散熱不穩(wěn)定(thermal instability)、閾值電壓飄移(threshold voltage shifts)，以及柵堆棧重新生長(re-growth in the gate stack)等等問題，這對(duì)微縮電氧化層厚度的pMOS組件來說是很嚴(yán)重的。”Lu表示。
此外Barclays Bank的報(bào)告預(yù)期，臺(tái)積電可望成為28納米節(jié)點(diǎn)前柵極高介電/金屬柵極技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者。
但針對(duì)以上報(bào)告，IBM晶圓廠聯(lián)盟成員GlobalFoundries提出反駁，甚至表示，由于該公司并非上市公司，并未與Barclays Bank等財(cái)經(jīng)市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)定期接觸，因此該報(bào)告的一些消息可能不是最新的。GlobalFoundries表示，該公司的32納米高介電/金屬柵極制程，目前正在Fab 1進(jìn)行初步生產(chǎn)。
而Samsung也回應(yīng)指出，在6月初，該公司已經(jīng)宣布其32納米高介電/金屬柵極制程通過質(zhì)量驗(yàn)證，包括1,000小時(shí)的高溫運(yùn)作壽命(HTOL)，也沒有遭遇相關(guān)問題。
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