諾發(fā)系統(tǒng)(Novellus)宣布已經(jīng)開發(fā) conformal film deposition (CFD)技術，可在高寬比4:1的結構上有100%的階梯覆蓋能力。這項創(chuàng)新的 CFD 技術可以提供 32奈米以下在前段制程的需求，例如 gate liners、spacers、shallow trench 隔絕的高介電金屬閘極 (HKMG) liners和用在雙曝光技術的spacers。諾發(fā)的CFD氧化物薄膜擁有和爐管熱反應的氧化薄膜相同的質量和成分，包含低漏電、高崩潰電壓和很低的濕蝕刻率。

32奈米制程以下的晶體管尺寸變異量極為重要，并且會影響組件表現(xiàn)，新的高conformal spacer薄膜已經(jīng)被開發(fā)出來可以控制這些芯片上的臨界尺寸(critical dimensions)。當整合方法和先進制程控制技術可以將芯片之間、批貨之間的變異量降到最小，在芯片上的變異量就可以用spacer薄膜控制。然后更進一步，這些用在spacer薄膜的介電層必須在夠低的溫度下沉積，以降低雜質擴散。

諾發(fā)已經(jīng)開發(fā)出CFD技術可沉積高質量的conformal 薄膜，可應用在前段制程并且符合32奈米以下質量以及低溫的需求。電流-電壓圖顯示出CFD薄膜具有很高的崩潰電壓特性，更進一步的分析指出薄膜質量在側邊等同于大塊區(qū)域。和一些用原子層沉積制程的競爭者比較，結合諾發(fā)的CFD技術和VECTOR多平臺順序沉積方式(MSSD)可以提供優(yōu)異的芯片上和芯片之間的一致性，并且擁有顯著的高產率和很低的化學品用量。

因為Extreme UV (EUV) 曝光技術的延遲，半導體工業(yè)轉向以spacer技術為主的雙曝光技術用在3X奈米和2X奈米以下的邏輯組件。最成本節(jié)省的雙曝光技術利用光阻當核心，再沉積百分之百階梯覆蓋的spacer薄膜。這種spacer薄膜必須使用溫度和化學方式沉積并且兼容于光阻材料。應用在雙曝光技術的Spacer薄膜必須展現(xiàn)出極佳的conformality，并且沒有會造成線彎曲的loading 效應，因此才能提供出色之芯片上曝光的均勻性。

諾發(fā)PECVD事業(yè)部資深副總Kevin Jennings說：「CFD技術提供了低溫沉積介電薄膜并具有和爐管相同質量的突破。當組件縮小到32奈米以下，許多應用會需要CFD技術沉積的薄膜，可靠的、已經(jīng)被量產證實的VECTOR 平臺，有此能力可以確保極佳的芯片上和芯片間的制程穩(wěn)定性，并有極高之產率以及低的化學品成本。」