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AMAT發(fā)布面向22nm工藝的掩模檢查設(shè)備，同時(shí)支持ArF-DP和EUV

時(shí)間：2010-09-16 06:51:00

關(guān)鍵字： RF EUV 晶圓光刻技術(shù)

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[導(dǎo)讀]美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）發(fā)布了掩模檢查設(shè)備“Aera3”。支持22nm工藝，檢測(cè)靈敏度較該公司原機(jī)型“Aera2”提高50％，同時(shí)還配備了可支持ArF液浸及EUV（extreme ultraviolet）兩種光刻技術(shù)的功能。作為面向ArF液浸的

美國(guó)應(yīng)用材料（AMAT）發(fā)布了掩模檢查設(shè)備“Aera3”。支持22nm工藝，檢測(cè)靈敏度較該公司原機(jī)型“Aera2”提高50％，同時(shí)還配備了可支持ArF液浸及EUV（extreme ultraviolet）兩種光刻技術(shù)的功能。

作為面向ArF液浸的功能，該設(shè)備配備了可根據(jù)對(duì)晶圓上圖形的影響程度對(duì)掩模上的缺陷進(jìn)行分類的功能。面向22nm工藝的ArF液浸光刻技術(shù)為了確保分辨率，需要兩次圖形（DP）及SMO（souce mask optimization）掩模技術(shù)。使用這些技術(shù)后，與掩模上的圖形形狀不同的圖形會(huì)在晶圓上成像，因此很難判斷出掩模圖形上的缺陷是否會(huì)在晶圓上引發(fā)問(wèn)題。針對(duì)這一問(wèn)題，此次的設(shè)備配備了模擬光學(xué)系統(tǒng)的功能，從而可判斷晶圓上的缺陷的重要程度。

作為面向EUV的功能，選配了可檢查EUV使用的反射掩模的功能。而且，還實(shí)現(xiàn)了EUV等所需的、最大可檢查12nm微小缺陷的功能。為此該設(shè)備提高了對(duì)比度，像素尺寸為67nm。此次的技術(shù)詳情預(yù)定在掩模國(guó)際會(huì)議“2010 SPIE Photomask Technology Conference”（9月13～16日，美國(guó)蒙特雷）上發(fā)布。（記者：長(zhǎng)廣恭明）

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