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全球兩年內(nèi)將涌現(xiàn)150座新晶圓廠(chǎng)

時(shí)間：2010-09-19 05:48:00

關(guān)鍵字：晶圓廠(chǎng) SEMI 半導(dǎo)體設(shè)備 LED

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[導(dǎo)讀]國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)預(yù)測(cè)，2010年全球晶圓廠(chǎng)前段制程設(shè)備支出規(guī)模，將較2009年成長(zhǎng)133%，并在2011年再度取得18%的成長(zhǎng)率。而全球已建置晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能，包括離散組件廠(chǎng)在內(nèi)，估計(jì)在2010年成長(zhǎng)7%，并在2011年

國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)預(yù)測(cè)，2010年全球晶圓廠(chǎng)前段制程設(shè)備支出規(guī)模，將較2009年成長(zhǎng)133%，并在2011年再度取得18%的成長(zhǎng)率。而全球已建置晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能，包括離散組件廠(chǎng)在內(nèi)，估計(jì)在2010年成長(zhǎng)7%，并在2011年將再成長(zhǎng)8%。

這份World Fab Forecast報(bào)告并預(yù)期，2010年全球晶圓廠(chǎng)建設(shè)支出規(guī)模，將成長(zhǎng)125%，2011年還將再成長(zhǎng)22%。SEMI的數(shù)據(jù)指出，在2010與 2011年，將有超過(guò)150座晶圓廠(chǎng)興建計(jì)劃，總支出估計(jì)830億美元；該估計(jì)數(shù)字是根據(jù)各晶圓廠(chǎng)興建計(jì)劃與設(shè)備支出計(jì)劃所做成，追蹤對(duì)象涵蓋大/小產(chǎn)能晶圓廠(chǎng)，以及生產(chǎn)微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、LED、離散組件的晶圓廠(chǎng)。

該報(bào)告指出，在2010年總計(jì)有54個(gè)晶圓廠(chǎng)興建計(jì)劃正在進(jìn)行，建設(shè)支出總計(jì)在45億美元左右；在這些計(jì)劃中，有五成是LED晶圓廠(chǎng)，而且大部分位于中國(guó)。將在2011年執(zhí)行的晶圓廠(chǎng)興建計(jì)劃雖然較少，但規(guī)模卻比較大，建設(shè)支出總計(jì)約55億美元。

SEMI估計(jì)，2010年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出將成長(zhǎng)133%，達(dá)到340億美元規(guī)模；而在2008年，全球半導(dǎo)體設(shè)備支出則是成長(zhǎng)27%。該協(xié)會(huì)并預(yù)測(cè)2011年全球半導(dǎo)體設(shè)備支出將再成長(zhǎng)18%，達(dá)到390億美元的規(guī)模，超越2007年的水平。

至于在2010年開(kāi)始營(yíng)運(yùn)的晶圓廠(chǎng)數(shù)量大約為22座，其中也有超過(guò)五成都是LED廠(chǎng)；另外明年則預(yù)計(jì)有28座晶圓廠(chǎng)即將開(kāi)張，包括4座內(nèi)存廠(chǎng)。到2010年底，全球已建置晶圓產(chǎn)能(不包括離散組件)，估計(jì)達(dá)到每月1,440萬(wàn)片8吋約當(dāng)晶圓，2010年該數(shù)字則可望成長(zhǎng)8%，來(lái)到每月1,580萬(wàn)8吋約當(dāng)晶圓。

SEMI指出，內(nèi)存廠(chǎng)是占據(jù)全球已建置晶圓產(chǎn)能的最大宗，所占比例在2010與2011年約為41%；晶圓代工廠(chǎng)則居次，所占據(jù)比例將由2009年的24%，在2011年成長(zhǎng)到26%左右。

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