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臺(tái)積電拼20奈米　戰(zhàn)斗機(jī)臺(tái)明年到位

時(shí)間：2010-06-25 12:56:00

關(guān)鍵字：臺(tái)積電 EUV FAB 晶圓代工

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[導(dǎo)讀]隨著IC組件微縮、制程進(jìn)入28奈米以下，半導(dǎo)體業(yè)者若能掌握微影技術(shù)主控權(quán)，就等于卡位先進(jìn)制程領(lǐng)導(dǎo)地位，臺(tái)積電未來(lái)研發(fā)重點(diǎn)放在28奈米以下，尤其為力拼20奈米制程，全力備妥戰(zhàn)斗武器，臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣

隨著IC組件微縮、制程進(jìn)入28奈米以下，半導(dǎo)體業(yè)者若能掌握微影技術(shù)主控權(quán)，就等于卡位先進(jìn)制程領(lǐng)導(dǎo)地位，臺(tái)積電未來(lái)研發(fā)重點(diǎn)放在28奈米以下，尤其為力拼20奈米制程，全力備妥戰(zhàn)斗武器，臺(tái)積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義24日表示，預(yù)計(jì)第1臺(tái)超紫外線(xiàn)(EUV)微影機(jī)臺(tái)將于2011年到位，以配合2013年導(dǎo)入20奈米制程。

在摩爾定律所闡述IC制程縮微周期中，微影技術(shù)可說(shuō)是具支配性的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)，隨著IC組件制程進(jìn)入28奈米以下開(kāi)發(fā)，半導(dǎo)體業(yè)者若能掌握微影技術(shù)主控權(quán)，就等于卡位先進(jìn)制程領(lǐng)導(dǎo)地位，近期包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、海力士(Hynix)等均已成功利用EUV發(fā)展30及20奈米世代內(nèi)存微影技術(shù)。

晶圓代工龍頭廠(chǎng)臺(tái)積電亦全力跨入EUV微影技術(shù)研發(fā)，取得ASML EUV微影設(shè)備，成為ASML全球6家取得這項(xiàng)設(shè)備客戶(hù)伙伴之一。蔣尚義表示，臺(tái)積電第1臺(tái)EUV微影設(shè)備將于2011年到位，安裝于臺(tái)積電超大晶圓廠(chǎng)(GigaFab)Fab 12，用以發(fā)展新世代制程技術(shù)。臺(tái)積電將成為全球首家可在自身晶圓廠(chǎng)發(fā)展EUV微影技術(shù)的專(zhuān)業(yè)晶圓代工業(yè)者。

蔣尚義指出，臺(tái)積電2013年將會(huì)導(dǎo)入20奈米制程，并改采EUV微影設(shè)備，不? L，目前EUV微影機(jī)臺(tái)問(wèn)題在于每小時(shí)單位產(chǎn)出量太少，較缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，倘若EUV技術(shù)能夠趨于成熟，拉高每小時(shí)單位產(chǎn)出量達(dá)到100片，屆時(shí)使用EUV設(shè)備才會(huì)具有競(jìng)爭(zhēng)力。

臺(tái)積電2010年研發(fā)技術(shù)重點(diǎn)在于28奈米制程，對(duì)于22奈米以下市場(chǎng)亦積極卡位，希望能贏(yíng)得更高市占率，針對(duì)目前量產(chǎn)中的40奈米，以及2010年底即將進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)的28奈米，臺(tái)積電均采用雙重曝影浸潤(rùn)式微影技術(shù)，22奈米亦還不會(huì)使用EUV微影設(shè)備。

事實(shí)上，相較于現(xiàn)行浸潤(rùn)式微影技術(shù)以193奈米波長(zhǎng)當(dāng)作光源，EUV微影技術(shù)導(dǎo)入更短波長(zhǎng)光源，將有機(jī)會(huì)降低生產(chǎn)成本，成為IC制造更先進(jìn)技術(shù)世代一個(gè)有潛力的= 擇，然因EUV設(shè)備十分昂貴，1部機(jī)臺(tái)要價(jià)至少1億美元起跳，相對(duì)應(yīng)的光罩投資金額亦十分驚人，22奈米世代研發(fā)投資幾乎是上一世代28奈米的1倍，因此，一旦EUV轉(zhuǎn)為未來(lái)新世代制程重點(diǎn)發(fā)展方向，各家半導(dǎo)體廠(chǎng)口袋是否夠深，將是一大考驗(yàn)。

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