隨著IC組件微縮、制程進入28奈米以下，半導體業(yè)者若能掌握微影技術主控權，就等于卡位先進制程領導地位，臺積電未來研發(fā)重點放在28奈米以下，尤其為力拼20奈米制程，全力備妥戰(zhàn)斗武器，臺積電研究發(fā)展資深副總經(jīng)理蔣尚義24日表示，預計第1臺超紫外線(EUV)微影機臺將于2011年到位，以配合2013年導入20奈米制程。

在摩爾定律所闡述IC制程縮微周期中，微影技術可說是具支配性的關鍵生產(chǎn)技術，隨著IC組件制程進入28奈米以下開發(fā)，半導體業(yè)者若能掌握微影技術主控權，就等于卡位先進制程領導地位，近期包括三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)、海力士(Hynix)等均已成功利用EUV發(fā)展30及20奈米世代內(nèi)存微影技術。

晶圓代工龍頭廠臺積電亦全力跨入EUV微影技術研發(fā)，取得ASML EUV微影設備，成為ASML全球6家取得這項設備客戶伙伴之一。蔣尚義表示，臺積電第1臺EUV微影設備將于2011年到位，安裝于臺積電超大晶圓廠(GigaFab)Fab 12，用以發(fā)展新世代制程技術。臺積電將成為全球首家可在自身晶圓廠發(fā)展EUV微影技術的專業(yè)晶圓代工業(yè)者。

蔣尚義指出，臺積電2013年將會導入20奈米制程，并改采EUV微影設備，不? L，目前EUV微影機臺問題在于每小時單位產(chǎn)出量太少，較缺乏競爭力，倘若EUV技術能夠趨于成熟，拉高每小時單位產(chǎn)出量達到100片，屆時使用EUV設備才會具有競爭力。

臺積電2010年研發(fā)技術重點在于28奈米制程，對于22奈米以下市場亦積極卡位，希望能贏得更高市占率，針對目前量產(chǎn)中的40奈米，以及2010年底即將進行風險試產(chǎn)的28奈米，臺積電均采用雙重曝影浸潤式微影技術，22奈米亦還不會使用EUV微影設備。

事實上，相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術以193奈米波長當作光源，EUV微影技術導入更短波長光源，將有機會降低生產(chǎn)成本，成為IC制造更先進技術世代一個有潛力的= 擇，然因EUV設備十分昂貴，1部機臺要價至少1億美元起跳，相對應的光罩投資金額亦十分驚人，22奈米世代研發(fā)投資幾乎是上一世代28奈米的1倍，因此，一旦EUV轉為未來新世代制程重點發(fā)展方向，各家半導體廠口袋是否夠深，將是一大考驗。