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[導(dǎo)讀]為了在競爭激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進的制造技術(shù),臺積電已經(jīng)決定跳過22nm工藝的研發(fā),直接上馬更高級的20nm工藝。 有趣的是,臺積電和GlobalFoundries這兩大代工廠此前已經(jīng)不約而同地先后取消了32nm Bul

為了在競爭激烈的半導(dǎo)體代工行業(yè)中提供最先進的制造技術(shù),臺積電已經(jīng)決定跳過22nm工藝的研發(fā),直接上馬更高級的20nm工藝。

有趣的是,臺積電和GlobalFoundries這兩大代工廠此前已經(jīng)不約而同地先后取消了32nm Bulk工藝,都直奔28nm HKMG工藝而去。再往前追溯,臺積電還曾經(jīng)取消45nm工藝而改為推行40nm,結(jié)果花了很長時間才解決良品率問題,對AMD、NVIDIA新一代顯卡產(chǎn)生了嚴(yán)重影響。



臺積電研發(fā)部門高級副總裁蔣尚義(Shang-yi Chiang)對1500多名臺積電客戶和第三方伙伴表示,跳過22nm而邁向20nm能帶來更高的柵極密度和芯片性能,對高級技術(shù)設(shè)計師來說將成為一個更切實可行的新平臺。據(jù)了解,臺積電22nm工藝將采用增強型高K金屬柵極(HKMG)、應(yīng)變硅、低電阻銅超低K互聯(lián)等技術(shù)。

蔣尚義宣布,臺積電預(yù)計在2012年下半年開始20nm工藝的風(fēng)險性試產(chǎn),而根據(jù)他此前的說法,新工藝初期只有高性能版本,2013年第一季度再增加低功耗版本。

蔣尚義還透露,臺積電已經(jīng)成功演示了其他類型晶體管結(jié)構(gòu)的可能性,比如FinFET。



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