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高通與臺積電攜手開發(fā)28nm工藝，2010年中期委托臺積電生產(chǎn)

時間：2010-01-13 08:18:00
關(guān)鍵字： 臺積電    高通    柵極    絕緣   
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[導(dǎo)讀]美國高通（Qualcomm）與臺灣臺積電（TSMC）將就28nm邏輯LSI的工藝開發(fā)與制造展開合作。臺積電計劃從2010年中期開始為高通量產(chǎn)28nm產(chǎn)品。高通將在該公司的便攜終端用芯片組“Snapdragon”等產(chǎn)品上采用28nm工藝。

美國高通（Qualcomm）與臺灣臺積電（TSMC）將就28nm邏輯LSI的工藝開發(fā)與制造展開合作。臺積電計劃從2010年中期開始為高通量產(chǎn)28nm產(chǎn)品。高通將在該公司的便攜終端用芯片組“Snapdragon”等產(chǎn)品上采用28nm工藝。

兩公司將要合作開發(fā)的是，新采用高介電率（high-k）柵極絕緣膜與金屬柵極技術(shù)的高速（HP）版工藝技術(shù)，以及沿用SiON柵極絕緣膜技術(shù)的低功耗（LP）版工藝技術(shù)。

高通目前采用通過向多家代工企業(yè)委托生產(chǎn)來確保產(chǎn)品穩(wěn)定供應(yīng)的IFM（Integrated Fabless Manufacturing）模式。1月7日已與美國Globalfoundries就尖端CMOS的共同開發(fā)和委托生產(chǎn)簽署了合作備忘錄（MOU）。（記者：大下 淳一）


來源：技術(shù)在線

作者：zhaobin

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據(jù)業(yè)內(nèi)消息，俄羅斯芯片設(shè)計廠商Baikal Electronics最新設(shè)計完成的48核的服務(wù)器處理器S1000將由臺積電代工，但可惜的是，鑒于目前美國歐盟對俄羅斯的芯片制裁政策，大概率會導(dǎo)致S1000芯片胎死腹中。

關(guān)鍵字： 臺積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

據(jù)業(yè)內(nèi)信息，近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對多個半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴，其中包含三星電子、高通公司、臺積電等。

關(guān)鍵字： 專利侵權(quán) 三星 臺積電 高通公司 337調(diào)查 USITC

今日消息，搭載高通驍龍8 Gen2旗艦處理器的三星Galaxy S23系列現(xiàn)身Geekbench跑分網(wǎng)站。單核成績是1524，多核成績是4597。

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據(jù)外媒TECHPOWERUP報道，中國臺灣一直在考慮將其芯片生產(chǎn)擴展到其他國家已不是什么秘密，臺積電已同意在亞利桑那州建廠，同時歐盟、日本、甚至俄羅斯都在傳出正與臺積電洽談建廠。

關(guān)鍵字： 芯片 臺積電 5G設(shè)備

12 月 15 日消息，英特爾 CEO 基辛格近日被曝光訪問臺積電，敲定 3 納米代工產(chǎn)能。此外，digitimes 放出了一張來源于彭博社的數(shù)據(jù)，曝光了臺積電前 10 大客戶營收貢獻(xiàn)占比。

關(guān)鍵字： 英特爾 臺積電 蘋果

雖然說臺積電、聯(lián)電廠房設(shè)備安全異常，并不會因為一次強臺風(fēng)產(chǎn)生多大損傷。但強臺風(fēng)造成的交通機場轉(zhuǎn)運、供水供電影響，對于這些半導(dǎo)體大廠來說也可謂是不小的麻煩。

關(guān)鍵字： 臺積電 聯(lián)電廠 半導(dǎo)體

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