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[導(dǎo)讀]聯(lián)電(2303)昨(10)日宣布在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM),發(fā)表28奈米制程混合型高介電系數(shù)/金屬閘極(HK/MG)技術(shù),聯(lián)電預(yù)計(jì)明年下半年量產(chǎn)28奈米,與臺(tái)積電落差拉近在半年以內(nèi)。 臺(tái)積電


聯(lián)電(2303)昨(10)日宣布在美國(guó)巴爾的摩所舉辦的2009國(guó)際電子組件會(huì)議(IEDM),發(fā)表28奈米制程混合型高介電系數(shù)/金屬閘極(HK/MG)技術(shù),聯(lián)電預(yù)計(jì)明年下半年量產(chǎn)28奈米,與臺(tái)積電落差拉近在半年以內(nèi)。
臺(tái)積電日前證實(shí)已與客戶共同決定,取消年底原本預(yù)計(jì)量產(chǎn)32奈米服務(wù),28奈米明年首季如期推出,聯(lián)電先進(jìn)制程開(kāi)發(fā)處副總簡(jiǎn)山杰表示,公司這次發(fā)表獨(dú)特的28奈米混合型高介電系數(shù)/金屬閘極技術(shù),可強(qiáng)化晶體管效能高達(dá)30%。


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據(jù)業(yè)內(nèi)信息報(bào)道,全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電繼之前將3nm制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間由外界預(yù)計(jì)的9月底推遲到第四季度后,再一次將其延后一個(gè)季度,預(yù)計(jì)將于明年才能量產(chǎn)。

關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 3nm

周四美股交易時(shí)段,受到“臺(tái)積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響,包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開(kāi)盤(pán),但在隨后兩個(gè)小時(shí)內(nèi)紛紛暴力拉漲,多家千億美元市值的巨頭較開(kāi)盤(pán)低點(diǎn)向上漲幅竟能達(dá)到10%。

關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 半導(dǎo)體 芯片

據(jù)業(yè)內(nèi)消息,俄羅斯芯片設(shè)計(jì)廠商Baikal Electronics最新設(shè)計(jì)完成的48核的服務(wù)器處理器S1000將由臺(tái)積電代工,但可惜的是,鑒于目前美國(guó)歐盟對(duì)俄羅斯的芯片制裁政策,大概率會(huì)導(dǎo)致S1000芯片胎死腹中。

關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

據(jù)業(yè)內(nèi)信息,近日一家名為Daedalus Prime的小公司陸續(xù)對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體巨頭發(fā)起337專利訟訴,其中包含三星電子、高通公司、臺(tái)積電等。

關(guān)鍵字: 專利侵權(quán) 三星 臺(tái)積電 高通公司 337調(diào)查 USITC

據(jù)外媒TECHPOWERUP報(bào)道,中國(guó)臺(tái)灣一直在考慮將其芯片生產(chǎn)擴(kuò)展到其他國(guó)家已不是什么秘密,臺(tái)積電已同意在亞利桑那州建廠,同時(shí)歐盟、日本、甚至俄羅斯都在傳出正與臺(tái)積電洽談建廠。

關(guān)鍵字: 芯片 臺(tái)積電 5G設(shè)備

12 月 15 日消息,英特爾 CEO 基辛格近日被曝光訪問(wèn)臺(tái)積電,敲定 3 納米代工產(chǎn)能。此外,digitimes 放出了一張來(lái)源于彭博社的數(shù)據(jù),曝光了臺(tái)積電前 10 大客戶營(yíng)收貢獻(xiàn)占比。

關(guān)鍵字: 英特爾 臺(tái)積電 蘋(píng)果

雖然說(shuō)臺(tái)積電、聯(lián)電廠房設(shè)備安全異常,并不會(huì)因?yàn)橐淮螐?qiáng)臺(tái)風(fēng)產(chǎn)生多大損傷。但強(qiáng)臺(tái)風(fēng)造成的交通機(jī)場(chǎng)轉(zhuǎn)運(yùn)、供水供電影響,對(duì)于這些半導(dǎo)體大廠來(lái)說(shuō)也可謂是不小的麻煩。

關(guān)鍵字: 臺(tái)積電 聯(lián)電廠 半導(dǎo)體

1952年,謝希德麻省理工畢業(yè)后,歸國(guó)后加入復(fù)旦物理系任教授。中國(guó)半導(dǎo)體物理學(xué)科和表面物理學(xué)科開(kāi)創(chuàng)者和奠基人,謝先生一生傳奇坎坷,被尊稱為“中國(guó)半導(dǎo)體之母”。

關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 物理學(xué)科 晶體管

近日,在加利福尼亞州圣何塞舉行的三星代工論壇上,三星電子公布了其芯片制造業(yè)務(wù)的未來(lái)技術(shù)路線圖,宣布在2025年開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)2nm工藝,更先進(jìn)的1.4nm工藝則預(yù)計(jì)會(huì)在2027年投產(chǎn),主要面向高性能計(jì)算和人工智能等應(yīng)用。

關(guān)鍵字: 三星 臺(tái)積電 芯片 1.4nm

創(chuàng)新企業(yè)上市可在存托憑證(CDR)和首次公開(kāi)發(fā)行(IPO)二選一,國(guó)際巨頭登錄A股方式逐漸明朗化。爆料出臺(tái)積電擬登錄A股,一成股權(quán)實(shí)施CDR。雖然臺(tái)積電已明確否認(rèn),但臺(tái)灣媒體分析仍然存在可能性。

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