11月28日晚，業(yè)內(nèi)人士透露，華為已開始自主研發(fā)IGBT器件，目前正在從某國內(nèi)領(lǐng)先的IGBT廠商中挖人。但據(jù)公開消息表示，華為的研發(fā)此前并不涉及功率半導(dǎo)體，而其需要的IGBT產(chǎn)品主要從英飛凌等IGBT原廠處采購。

IGBT作為自動控制和功率變換的核心部件，對于軌道交通、航空航天、新能源、智能電網(wǎng)、智能家電這些朝陽產(chǎn)業(yè)至關(guān)重要。

據(jù)華為官網(wǎng)顯示，IGBT早已成為其UPS電源的核心器件。做為一種雙極晶體管復(fù)合的器件，IGBT不僅具有易于驅(qū)動，控制簡單，開關(guān)頻率高等優(yōu)點，同時又具備導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大，損耗小等技術(shù)優(yōu)勢。

但I(xiàn)GBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，長期被英飛凌，三菱，富士電機等國外巨頭壟斷全球場。

更值得注意的是，在中高端領(lǐng)域的IGBT器件更是90%以上依賴進(jìn)口，IGBT國產(chǎn)化迫在眉睫。

從2011年12月，北車西安永電成為國內(nèi)第一個、世界第四個，能夠封裝6500V以上IGBT產(chǎn)品的企業(yè)，再到2015年10月，中車永電與上海先進(jìn)半導(dǎo)體公司聯(lián)合開發(fā)的，國內(nèi)首個具有完全知識產(chǎn)權(quán)的6500V高鐵機車用IGBT芯片，通過高鐵系統(tǒng)上車試驗。

事實上，中國一直試圖打破IGBT基本依賴于進(jìn)口的窘境。

值得一提的是，工信部也在10月8日表示，將持續(xù)推進(jìn)芯片、IGBT模塊等產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

不過，在被美國加入 “實體清單”后，華為選擇開始研發(fā)IGBT器件。隨著全球制造業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移，我國功率半導(dǎo)體市場占世界市場的50%以上，是全球最大的IGBT市場。