[導(dǎo)讀]據(jù)外媒electronicsweekly報(bào)道,東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動(dòng)工,應(yīng)對未來NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)需求;該新建廠房被稱為“疊分NAND晶圓廠”或“3D NAND晶圓廠”。東芝公司表示:“公司將擴(kuò)大五號半導(dǎo)體制造工廠(Fab
據(jù)外媒electronicsweekly報(bào)道,東芝垂直NAND晶圓廠第二期廠房已破土動(dòng)工,應(yīng)對未來NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)需求;該新建廠房被稱為“疊分NAND晶圓廠”或“3D NAND晶圓廠”。
東芝公司表示:“公司將擴(kuò)大五號半導(dǎo)體制造工廠(Fab 5)工廠制造空間,以應(yīng)對未來NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)需求,并為下一代工藝技術(shù)和日后投產(chǎn)3D NAND Flash預(yù)先做好準(zhǔn)備;此次擴(kuò)建將在明年夏天完成?!?BR>據(jù)悉,東芝于日本三重縣四日市已擁有三座晶圓廠,大規(guī)模量產(chǎn)NAND Flash,其中包括五號半導(dǎo)體制造工廠第一階段廠房。
NAND市場領(lǐng)導(dǎo)者三星在本月早些時(shí)候宣布推出第一款基于3D垂直NAND(V-NAND)閃存技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤,適用于企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心;但不準(zhǔn)備大批量生產(chǎn)。
五號半導(dǎo)體制造工廠工程將成為東芝公司往后用以生產(chǎn)3D NAND Flash的利器,并將確保東芝可基于最新的納米制程技術(shù),持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash。東芝指出,智能手機(jī)、平板裝置、企業(yè)伺服器用固態(tài)硬盤(SSD)及其他新應(yīng)用不斷增長的需求,正帶動(dòng)NAND Flash產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇,而考量長期的市場供需平衡,東芝已計(jì)劃投入五號半導(dǎo)體工廠的擴(kuò)產(chǎn)。
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中國北京(2025年9月10日)—— 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice(股票代碼 603986)亮相于深圳國際會展中心舉辦的第26屆中國國際光電博覽會(展位號:12C12),全面展示GD25 SPI...
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光通信
MCU
Flash
北京2025年8月25日 /美通社/ --?據(jù)潮起網(wǎng)報(bào)道。 圖1 近日,中國領(lǐng)先的AI科技公司楓清科技(Fabarta)推出的"Fabarta個(gè)人專屬智能體"已結(jié)束內(nèi)測并向公眾用戶開放免費(fèi)下載試用。 Fabarta...
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智能體
AI
FAB
模型
在嵌入式系統(tǒng)中,F(xiàn)lash存儲器因其非易失性、高密度和低成本特性,成為代碼存儲和關(guān)鍵數(shù)據(jù)保存的核心組件。然而,MCU驅(qū)動(dòng)Flash讀寫時(shí),開發(fā)者常因?qū)τ布匦岳斫獠蛔慊虿僮髁鞒淌韬?,陷入性能下降、?shù)據(jù)損壞甚至硬件損壞的陷...
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MCU驅(qū)動(dòng)
Flash
上海2025年7月31日 /美通社/ -- 3D服裝可視化和設(shè)計(jì)技術(shù)的業(yè)內(nèi)領(lǐng)航者 — CLO虛擬時(shí)尚公司,宣布推出最新款CLO zFab面料測量套件。這套開創(chuàng)性的面料數(shù)字化系統(tǒng)將會顛覆時(shí)尚和紡織行業(yè)。CLO zFab面料...
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數(shù)字化系統(tǒng)
FAB
AI
PLAYER
深圳2025年4月24日 /美通社/ -- 4月23日,2025上海國際車展盛大啟幕,全球汽車產(chǎn)業(yè)的目光聚焦于這場科技與創(chuàng)新的盛宴。在眾多展示亮點(diǎn)中,汽車AI+應(yīng)用無疑是最大的熱點(diǎn)之一,“駕控超級大腦”技術(shù)概念、車機(jī)交互...
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GB
EMMC
Flash
PS
在自動(dòng)駕駛、機(jī)器人與工業(yè)檢測領(lǐng)域,激光雷達(dá)作為環(huán)境感知的核心傳感器,其技術(shù)路線正從機(jī)械式向固態(tài)化演進(jìn)。MEMS、OPA與Flash作為固態(tài)激光雷達(dá)的三大主流架構(gòu),分別通過微機(jī)電系統(tǒng)、光學(xué)相控陣與泛光面陣技術(shù)實(shí)現(xiàn)掃描與探測...
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MEMS
OPA
Flash
通過增強(qiáng)散熱性能,實(shí)現(xiàn)持續(xù)高功率輸入輸出與電池壽命的雙重保障。
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東芝
3月27日消息,近期,隨著內(nèi)存市場開始迎來復(fù)蘇,多家供應(yīng)商紛紛調(diào)漲價(jià)格以應(yīng)對接下來的市場變化,繼閃迪傳出調(diào)漲價(jià)格之后,美光也宣布了其漲價(jià)計(jì)劃。
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美光
NAND
在嵌入式系統(tǒng)開發(fā)中,外部存儲介質(zhì)的選擇和管理至關(guān)重要。SPI Flash以其高容量、低功耗、高速率等特點(diǎn),成為眾多嵌入式設(shè)備的首選存儲方案。然而,如何高效管理SPI Flash存儲,避免數(shù)據(jù)丟失、提高讀寫性能,是開發(fā)者必...
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嵌入式SPI
Flash
LittleFS
STM32單片機(jī)作為一種高性能、低功耗的嵌入式微控制器,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在實(shí)際應(yīng)用中,為了擴(kuò)展存儲空間或?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)的持久化存儲,經(jīng)常需要使用外部FLASH存儲器。本文將詳細(xì)介紹STM32單片機(jī)如何讀寫外部FLAS...
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STM32
Flash
12月25日消息,據(jù)媒體報(bào)道,面對市場需求疲軟和價(jià)格持續(xù)下跌的壓力,NAND閃存大廠美光將減少10%的NAND晶圓產(chǎn)量,以調(diào)控供給量,期望借此提振市場需求。
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美光
NAND
在嵌入式系統(tǒng)和存儲設(shè)備領(lǐng)域,F(xiàn)lash和EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)因其非易失性存儲特性而被廣泛應(yīng)用。這些存儲設(shè)備能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù),對于需要長期保存配置參數(shù)、程序代碼或用戶數(shù)據(jù)的應(yīng)用來說至關(guān)重要。然而,關(guān)于...
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Flash
EEPROM
在現(xiàn)代電子系統(tǒng)中,單片機(jī)(MCU)作為核心控制單元,其性能與存儲容量直接影響整個(gè)系統(tǒng)的功能與可靠性。隨著物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、工業(yè)自動(dòng)化等領(lǐng)域的快速發(fā)展,單片機(jī)系統(tǒng)需要存儲越來越多的數(shù)據(jù)、程序代碼和日志文件,而內(nèi)置的Flas...
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單片機(jī)
Flash
MCU
在嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域,程序代碼的運(yùn)行位置是一個(gè)至關(guān)重要的問題。傳統(tǒng)的觀念認(rèn)為,程序代碼必須從FLASH存儲器搬到RAM中運(yùn)行,以提高執(zhí)行速度和效率。然而,隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,這一觀念正在受到挑戰(zhàn)。本文將深入探討嵌入式系統(tǒng)中程...
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嵌入式系統(tǒng)
Flash
RAM
嵌入式系統(tǒng)中的程序代碼運(yùn)行位置問題,主要涉及到程序代碼是存儲在FLASH中直接運(yùn)行,還是需要被復(fù)制到RAM中運(yùn)行。這個(gè)問題涉及到多個(gè)方面的考量,包括系統(tǒng)性能、成本、功耗以及可靠性等。以下是對這一問題的詳細(xì)分析:
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嵌入式系統(tǒng)
Flash
e絡(luò)盟將 Flexxon 的高級 NAND 閃存存儲與硬件安全解決方案擴(kuò)展至美洲、歐非中東及亞太地區(qū)
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NAND
閃存
存儲
前瞻布局下一代存儲市場 臺北2024年10月28日 /美通社/ -- 神盾集團(tuán)旗下IP公司—乾瞻科技,宣布其基于JESD 230G規(guī)范設(shè)計(jì)的ONFI 5500 MT/s IP,已成功通過N6/N7矽驗(yàn)證。該ONFI I...
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MT
IP
ARM
Flash