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[導讀]日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其SiR870DP功率MOSFET和34 THE霍爾效應傳感器榮獲EDN China 2011創(chuàng)新獎。在12月1日上海舉行的頒獎典禮上,SiR870DP榮獲功率器件和模塊類的最佳產(chǎn)品獎

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其SiR870DP功率MOSFET和34 THE霍爾效應傳感器榮獲EDN China 2011創(chuàng)新獎。在12月1日上海舉行的頒獎典禮上,SiR870DP榮獲功率器件和模塊類的最佳產(chǎn)品獎,34 THE被授予無源元件和傳感器類的優(yōu)秀產(chǎn)品獎。

EDN China創(chuàng)新獎于2005年推出,主要表彰在中國市場銷售的芯片和相關(guān)產(chǎn)品在設(shè)計方面所取得的成就。今年,超過80家公司的140款產(chǎn)品參加了9個技術(shù)類別的角逐。EDN China的在線讀者投票選出50款提名產(chǎn)品,由技術(shù)專家組和EDN的高級編輯從中選出了最終的獲獎產(chǎn)品。

100V SiR870DP采用了Vishay的新型ThunderFET®技術(shù),在4.5V下的導通電阻為7.8mΩ,在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先,而且在10V下具有非常低的6mΩ導通電阻。對于設(shè)計者,器件更低的導通電阻意味著更低的傳導損耗,讓節(jié)能的綠色解決方案降低功耗。

SiR870DP在4.5V下的導通電阻與柵極電荷乘積低至208mΩ-nC,能夠為更高頻率和開關(guān)應用同時提供低傳導損耗和低開關(guān)損耗,該指標是衡量DC/DC轉(zhuǎn)換器應用中MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。MOSFET能在4.5V下導通,在通信磚式電源和總線轉(zhuǎn)換器應用的隔離DC/DC電源中就能采用各種各樣的PWM和柵極驅(qū)動IC。

34 THE霍爾效應傳感器是業(yè)內(nèi)首款采用非接觸技術(shù)的多匝傳感器,適用于在惡劣環(huán)境中要求使用長壽命傳感器的應用。10匝的34 THE采用的霍爾效應技術(shù)使其能在高達20G的高頻振動和高達50G的沖擊的條件下可靠工作。

這款真正上電即運行的位置傳感器采用伺服安裝時具有5千萬次循環(huán)的超長壽命,采用套筒安裝時的壽命為1千萬次,比目前的繞線多匝傳感器的壽命至少長10倍以上。34 THE的長壽命使其成為艦艇和越野車輛中方向盤伺服控制的理想選擇。

VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、MOSFET和紅外光電器件)和無源電子元件(電阻器、電感器電容器)的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。
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