大陸MOSFET需求強(qiáng)勁 供應(yīng)商出貨不及
[導(dǎo)讀]2010年大陸因市場(chǎng)需求勁揚(yáng)5成，產(chǎn)能受限，導(dǎo)致部分金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)的訂單出現(xiàn)出貨時(shí)間遞延的現(xiàn)象，英飛凌(Infineon)、意法半導(dǎo)體(STMicroel
2010年大陸因市場(chǎng)需求勁揚(yáng)5成，產(chǎn)能受限，導(dǎo)致部分金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor；MOSFET)的訂單出現(xiàn)出貨時(shí)間遞延的現(xiàn)象，英飛凌(Infineon)、意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與快捷(Fairchild)等主要供應(yīng)商皆面臨類似挑戰(zhàn)。
2010年大陸能源MOSFET市場(chǎng)規(guī)模達(dá)24億美元，較2009年的16億美元成長(zhǎng)53%左右。業(yè)界紛紛認(rèn)為，因供應(yīng)商新建產(chǎn)線仍有待投產(chǎn)，預(yù)期特定MOSFET與封裝產(chǎn)品在2010年缺貨、訂單出貨時(shí)間延長(zhǎng)的光景，將持續(xù)至2011年。
2009年能源MOSFET產(chǎn)值以資料處理、消費(fèi)性電子與通訊等為市場(chǎng)主要需求來源，占整體比重分為41%、25%、23%。
2010年時(shí)因大陸當(dāng)局鼓勵(lì)產(chǎn)業(yè)投資架設(shè)新式通訊網(wǎng)路，通訊產(chǎn)業(yè)有線與無線業(yè)務(wù)總計(jì)為本土能源MOSFET市場(chǎng)創(chuàng)造了6.17億美元，較2009年的3.65億美元成長(zhǎng)近7成左右，同一時(shí)期的消費(fèi)性電子貢獻(xiàn)產(chǎn)值約為5.7億美元。其中汽車電子業(yè)務(wù)需求勁揚(yáng)，相關(guān)業(yè)務(wù)規(guī)模較2009年攀升64%，于2010年上探1.01億美元。
此外，低電壓MOSFET為能源MOSFET市場(chǎng)成長(zhǎng)主要?jiǎng)恿?，主要原因?yàn)?strong>通訊產(chǎn)業(yè)與資料處理市場(chǎng)對(duì)于低電壓MOSFET應(yīng)用需求揚(yáng)升所致! ，約于2009年把持近5成左右市場(chǎng)，于2011年將持續(xù)主導(dǎo)能源MOSFET發(fā)展。
?于2010年能源MOSFET需求成長(zhǎng)力道強(qiáng)勁，第4季方見市場(chǎng)需求上升速度趨緩，預(yù)估市場(chǎng)需求將于2011年第1季觸底，于同年4月起? |適度成長(zhǎng)。
不少市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)估算，2009~2014年間，能源MOSFET的復(fù)合年均成長(zhǎng)率(Compound Annual Growth Rate；CAGR)約可達(dá)到2成左右。
2010年大陸能源MOSFET市場(chǎng)規(guī)模達(dá)24億美元，較2009年的16億美元成長(zhǎng)53%左右。業(yè)界紛紛認(rèn)為，因供應(yīng)商新建產(chǎn)線仍有待投產(chǎn)，預(yù)期特定MOSFET與封裝產(chǎn)品在2010年缺貨、訂單出貨時(shí)間延長(zhǎng)的光景，將持續(xù)至2011年。
2009年能源MOSFET產(chǎn)值以資料處理、消費(fèi)性電子與通訊等為市場(chǎng)主要需求來源，占整體比重分為41%、25%、23%。
2010年時(shí)因大陸當(dāng)局鼓勵(lì)產(chǎn)業(yè)投資架設(shè)新式通訊網(wǎng)路，通訊產(chǎn)業(yè)有線與無線業(yè)務(wù)總計(jì)為本土能源MOSFET市場(chǎng)創(chuàng)造了6.17億美元，較2009年的3.65億美元成長(zhǎng)近7成左右，同一時(shí)期的消費(fèi)性電子貢獻(xiàn)產(chǎn)值約為5.7億美元。其中汽車電子業(yè)務(wù)需求勁揚(yáng)，相關(guān)業(yè)務(wù)規(guī)模較2009年攀升64%，于2010年上探1.01億美元。
此外，低電壓MOSFET為能源MOSFET市場(chǎng)成長(zhǎng)主要?jiǎng)恿?，主要原因?yàn)?strong>通訊產(chǎn)業(yè)與資料處理市場(chǎng)對(duì)于低電壓MOSFET應(yīng)用需求揚(yáng)升所致! ，約于2009年把持近5成左右市場(chǎng)，于2011年將持續(xù)主導(dǎo)能源MOSFET發(fā)展。
?于2010年能源MOSFET需求成長(zhǎng)力道強(qiáng)勁，第4季方見市場(chǎng)需求上升速度趨緩，預(yù)估市場(chǎng)需求將于2011年第1季觸底，于同年4月起? |適度成長(zhǎng)。
不少市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)估算，2009~2014年間，能源MOSFET的復(fù)合年均成長(zhǎng)率(Compound Annual Growth Rate；CAGR)約可達(dá)到2成左右。
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