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[導(dǎo)讀]全球晶圓(Global Foundries)于美東時(shí)間1日舉行成軍以來(lái)首屆全球技術(shù)論壇,會(huì)中展示28納米類比/混合訊號(hào)(AMS)生產(chǎn)設(shè)計(jì)流程開(kāi)發(fā)套件,并推出新的28納米HPP(High Perfoarmance Plus)技術(shù),預(yù)計(jì)于第4季正式向客戶推出,

全球晶圓(Global Foundries)于美東時(shí)間1日舉行成軍以來(lái)首屆全球技術(shù)論壇,會(huì)中展示28納米類比/混合訊號(hào)(AMS)生產(chǎn)設(shè)計(jì)流程開(kāi)發(fā)套件,并推出新的28納米HPP(High Perfoarmance Plus)技術(shù),預(yù)計(jì)于第4季正式向客戶推出,另外也首度揭示22/20納米制程技術(shù)藍(lán)圖與時(shí)間進(jìn)程,預(yù)計(jì)2013年正式進(jìn)入量產(chǎn)。與會(huì)人士指出,全球晶圓在技術(shù)上進(jìn)逼至20納米,時(shí)程上亦與臺(tái)積電甚為相近,與臺(tái)積電在先進(jìn)制程較勁意味濃厚。
為因應(yīng)快速成長(zhǎng)的智能型移動(dòng)裝置市場(chǎng),全球晶圓在原本的28納米HP(High Performance)、28納米SLP(Super Low Power)制程外,再推出28納米HPP(High Perfoarmance Plus)。全球晶圓指出,28納米HPP制程預(yù)計(jì)于2011年第4季進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),該制程的產(chǎn)品效能將較目前28納米HP制程高出10%。
相較于臺(tái)積電采用Gate-Last技術(shù),全球晶圓的28納米制程主要采Gate-First技術(shù),全球晶圓指出,目前28納米制程已有多家客戶通過(guò)矽晶驗(yàn)證。
在技術(shù)論壇中,全球晶圓也公布28納米類比/混合訊號(hào)(AMS)生產(chǎn)設(shè)計(jì)流程開(kāi)發(fā)套件。全球晶圓已經(jīng)和Cadence達(dá)成合作,在2010的第3季共同推出AMS生產(chǎn)設(shè)計(jì)流程的主要元素,至于完整的生產(chǎn)級(jí)AMS流程預(yù)計(jì)在2010年第4季向客戶推出,芯片驗(yàn)證則計(jì)畫(huà)在2011年初。
全球晶圓成軍以來(lái),首度舉辦全球技術(shù)論壇,因此也備受外界矚目,尤其在先進(jìn)制程上的進(jìn)展,更是焦點(diǎn)之一。不過(guò)與會(huì)人士指出,本次全球晶圓技術(shù)論壇并沒(méi)有太大的驚喜,關(guān)于產(chǎn)能與技術(shù)藍(lán)圖與6月時(shí)在臺(tái)灣記者會(huì)中公布的相去不遠(yuǎn),顯示該公司照計(jì)畫(huà)運(yùn)行順利,然而特別的一點(diǎn)是,20納米首次加入全球晶圓的技術(shù)藍(lán)圖之中,而在28納米與22/20納米量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn),都與臺(tái)積電近乎雷同,顯示兩家公司在先進(jìn)制程上競(jìng)爭(zhēng)激烈。
據(jù)了解,臺(tái)積電最快將于年底前量產(chǎn)28納米制程,除HP與LP制程外,亦有與賽靈思(Xilinx)合作開(kāi)發(fā)的HPL(High Performance Low Power)制程。
全球晶圓指出,22/20納米將會(huì)于2012年下半進(jìn)行試產(chǎn),并于2013年正式進(jìn)入量產(chǎn)。其中,20納米制程將會(huì)提供HP(High Performance)與SLP(Super Low Power)兩種制程,其中HP制程主要應(yīng)用于有線裝置,SLP制程則要用于移動(dòng)式裝置應(yīng)用。
在次世代微影技術(shù)方面,相較于臺(tái)積電在深紫外光(EUV)與多重電子束兩路并進(jìn),全球晶圓壓寶EUV陣營(yíng),預(yù)計(jì)首臺(tái)EUV機(jī)臺(tái)將于2012年下半進(jìn)廠,并于2014~2015年間量產(chǎn)。
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