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[導讀]即將召開的國際電子器件大會(IEDM)其主旨在于突出電力研究領(lǐng)域的進展。Cornell大學將介紹基于放射性同位素兼容CMOS的鐵電氮化鋁(AlN)發(fā)電機的進展。他們聲稱該設(shè)備能夠為一個無線傳感器節(jié)點供電力達10年之久。Cornel

即將召開的國際電子器件大會(IEDM)其主旨在于突出電力研究領(lǐng)域的進展。

Cornell大學將介紹基于放射性同位素兼容CMOS的鐵電氮化鋁(AlN)發(fā)電機的進展。他們聲稱該設(shè)備能夠為一個無線傳感器節(jié)點供電力達10年之久。

Cornell在IEDM將介紹AlN放射性同位元素發(fā)電機的首款產(chǎn)品。它象征著MEMS和兼容CMOS的發(fā)電機集成的新水平。AlN發(fā)電機包含三個輸出端口,以驅(qū)動無線傳感器節(jié)點。該發(fā)電機還展示了基于鎳同位元素(Ni-63)的放射性薄膜能被安全的用于為無線傳感器節(jié)點供電。Cornell研究小組將Ni-63限制為研究目的。集成更高功率密度放射性薄膜如Pe-147或氚將有可能提供上千倍的輸出功率。

放射性同位元素Ni-63的薄膜產(chǎn)生用于發(fā)電的Beta微粒。這些微粒撞擊AlN化合物制成的懸梁。在電荷分離后,電荷累積,靜電吸引將懸梁拉向Ni-63薄膜。接觸后,電荷釋放掉,懸梁恢復(fù)到初始位置。這一周期經(jīng)過重復(fù),使懸梁產(chǎn)生振蕩。由于鐵電材料如AlN在受到機械應(yīng)力時產(chǎn)生電壓,該振蕩就產(chǎn)生持續(xù)電壓。

日本東京大學的研究人員將作一有關(guān)輸電板研究進展的報告。該柔性板能選擇性的為放置在板上的電子設(shè)備供電。板有1mm厚,重50克,包含8×8單元陣列,包含能感知位置和傳輸?shù)牟考?。有效功率傳輸面積為21×21cm2。板上物體的位置由使用有機有源晶體管矩陣的電磁耦合感應(yīng)。由印刷塑料MEMS開關(guān)矩陣驅(qū)動的銅線圈將電能輸送到器件。功率傳輸只有當物體被感知時才發(fā)生,因此凈功率耦合效率達62.3%。
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